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P9006EDG-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應用分析

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發布時間: 2023-11-20 15:42

正文摘要:

P9006EDG (VBE2610N)參數說明：P溝道，-60V，-38A，導通電阻61mΩ@10V，72mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓-1.3V，封裝：TO252。 應用簡介：P9006EDG適用于功率開關和逆變器等應用的P溝道MOSFET。 其高電流承載能力 ...

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