主題:Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介紹
時間:2015-11-04 10:00
簡介:傳統硅材料在開關電源系統上已經發展了幾十年,就目前來講硅材料的發展空間很有限了,GaN材料在LED以及RF上面被世人了解,不過目前已經發展進入了功率器件的應用領域因為GaN適合高頻高壓的場合。作為下一代功率器件GaN HEMT已經做好了替代 Si MOSFET的一切準備,其強勁的性能主要表現在超好的技術參數RDSON,QG,QRR等一系列影響到功率器件性能的關鍵參數。GaN HEMT用在開關電源系統上面可以顯著的提高系統的開關效率,在硬開關下面提高開關頻率使得系統體積更小,從而更顯著的提高其功率密度。Transphorm這家公司專注于GaN的研究已經接近十年,公司成立于美國的加州Goleta,員工超過130人,專利超過250個,而且是目前唯一一個通過JEDEC認證的GaN的企業,FUJITSU目前與Transphorm合作為客戶提供GaN HEMT的技術支持及產品。