主題：Transphorm GaN HEMT新一代功率器件的介紹
時間：2015-11-04 10:00
簡介：傳統硅材料在開關電源系統上已經發展了幾十年，就目前來講硅材料的發展空間很有限了，GaN材料在LED以及RF上面被世人了解，不過目前已經發展進入了功率器件的應用領域因為GaN適合高頻高壓的場合。作為下一代功率器件GaN HEMT已經做好了替代 Si MOSFET的一切準備，其強勁的性能主要表現在超好的技術參數RDSON,QG,QRR等一系列影響到功率器件性能的關鍵參數。GaN HEMT用在開關電源系統上面可以顯著的提高系統的開關效率，在硬開關下面提高開關頻率使得系統體積更小，從而更顯著的提高其功率密度。Transphorm這家公司專注于GaN的研究已經接近十年，公司成立于美國的加州Goleta，員工超過130人，專利超過250個，而且是目前唯一一個通過JEDEC認證的GaN的企業，FUJITSU目前與Transphorm合作為客戶提供GaN HEMT的技術支持及產品。
