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日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET"SCH2080KE"。此產(chǎn)品損耗低，可靠性高，在各種應(yīng)用中非常有助于設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗和小型化。 本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內(nèi)部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現(xiàn)更低損耗的同時(shí)還可減少部件個(gè)數(shù)。 生產(chǎn)基地在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣），從6月份開始出售樣品，從7月份開始陸續(xù)量產(chǎn)。 
※根據(jù)羅姆的調(diào)查（截至2012年6月14日） 現(xiàn)在，在1200V級(jí)別的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT，但尾電流和外置FRD的恢復(fù)導(dǎo)致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大，因此，更低損耗、可高頻動(dòng)作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是，傳統(tǒng)的SiC-MOSFET，體二極管通電導(dǎo)致的特性劣化（導(dǎo)通電阻和正向電壓的上升／耐性劣化）和柵氧化膜故障等可靠性方面的課題較多，之前無法實(shí)現(xiàn)真正的全面導(dǎo)入。 此次，羅姆通過改善晶體缺陷相關(guān)工藝和元件構(gòu)造，成功地攻克了包括體二極管在內(nèi)的可靠性方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約30％，實(shí)現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。 另外，通過獨(dú)創(chuàng)的安裝技術(shù)，還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體二極管長(zhǎng)久以來的課題-降低正向電壓成為可能。 由此，與一般的逆變器中所使用的Si-IGBT相比，工作時(shí)的損耗降低了70％以上，實(shí)現(xiàn)了更低損耗的同時(shí)，還實(shí)現(xiàn)了50kHz以上的更高頻率，而且有助于外圍部件的小型化。
另外，此次還同時(shí)開發(fā)了與SiC-SBD非同一封裝的型號(hào)SiC-MOSFET"SCT2080KE"，提供滿足不同電路構(gòu)成和客戶需求的產(chǎn)品。兩種產(chǎn)品將在6月19日(周二)～21日(周四)于上海世博展覽館舉行的聚集電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、電力特性等最新技術(shù)的專業(yè)類展會(huì)"PCIM Asia 2012"的羅姆展臺(tái)展出。歡迎蒞臨現(xiàn)場(chǎng)參觀。 ＜特點(diǎn)＞ 1） SiC-MOSFET與SiC-SBD一體化封裝 成功實(shí)現(xiàn)"SCH2080KE"與傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD的一體化封裝，降低了正向電壓。可減少部件個(gè)數(shù)，而且有助于進(jìn)一步節(jié)省空間。產(chǎn)品陣容中還包括傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的"SCT2080KE"，可滿足客戶的多種需求。
2） 無開啟電壓，具備卓越的電流電壓特性 通過優(yōu)化工藝和元件構(gòu)造，與第1代產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低約30％。不存在一般使用的Si-IGBT長(zhǎng)久以來所存在的開啟電壓，因此即使在低負(fù)載運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)損耗也很低。
3） 正向電壓降低70％以上，減少了損耗和部件個(gè)數(shù) SiC-MOSFET的體二極管，在SiC物質(zhì)特性的原理上決定了其開啟電壓較大，高達(dá)2.5V以上，常常成為逆變器工作時(shí)的損耗。"SCH2080KE"集SiC-SBD與SiC-MOSFET于同一封裝內(nèi)，大大降低了正向電壓。不僅損耗更低，還可減少部件個(gè)數(shù)。
4） 無尾電流，可進(jìn)行低損耗開關(guān) 由于不會(huì)產(chǎn)生Si-IGBT中常見的尾電流，因此關(guān)斷時(shí)的開關(guān)損耗可減少90％，有助于設(shè)備更加節(jié)能。另外，達(dá)到了Si-IGBT無法達(dá)到的50kHz以上的開關(guān)頻率，因此，可實(shí)現(xiàn)外圍設(shè)備的小型化、輕量化。
【關(guān)于羅姆（ROHM）】 羅姆（ROHM）是全球著名半導(dǎo)體廠商之一，創(chuàng)立于1958年，是總部位于日本京都市的跨國集團(tuán)公司。"品質(zhì)第一"是羅姆的一貫方針。我們始終將產(chǎn)品質(zhì)量放在第一位。無論遇到多大的困難，都將為國內(nèi)外用戶源源不斷地提供大量?jī)?yōu)質(zhì)產(chǎn)品，并為文化的進(jìn)步與提高作出貢獻(xiàn)。 歷經(jīng)半個(gè)多世紀(jì)的發(fā)展，羅姆的生產(chǎn)、銷售、研發(fā)網(wǎng)絡(luò)遍及世界各地。產(chǎn)品涉及多個(gè)領(lǐng)域，其中包括IC、分立半導(dǎo)體、光學(xué)半導(dǎo)體、被動(dòng)元件以及模塊產(chǎn)品。在世界電子行業(yè)中，羅姆的眾多高品質(zhì)產(chǎn)品得到了市場(chǎng)的許可和贊許，成為系統(tǒng)IC和最新半導(dǎo)體技術(shù)方面首屈一指的主導(dǎo)企業(yè)。 羅姆十分重視中國市場(chǎng)，已陸續(xù)在全國設(shè)立多家代表機(jī)構(gòu)，在大連和天津先后開設(shè)工廠，并在上海和深圳設(shè)立技術(shù)中心和品質(zhì)保證中心提供技術(shù)和品質(zhì)支持。 羅姆(ROHM)官方網(wǎng)站：www.rohm.com.cn |
