采用PQFN封裝的20V、25V及30V MOSFET（IR）

發布時間：2010-3-11 13:28 發布者：嵌入式公社

關鍵詞： MOSFET , PQFN , 封裝

國際整流器公司 (IR) 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。

這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現業界領先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2mΩ，顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。

25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF器件都是專為DC開關應用設計的，例如需要高電流承載能力和高效率的有源ORing和直流電機驅動應用。IRFH5250TRPbF具有極低的RDS(on)，最高只有1.15mΩ，且柵極電荷 (Qg) 僅為52nC。而 IRFH5300TRPbF的最高RDS(on) 只有1.4mΩ，Qg 達到了 50nC。

如果采用 IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF 和 IRFH53xxTRPbF 器件，不僅能夠實現卓越的熱性能，還可以根據給定的功率損耗要求，比現有解決方案使用更少的元件，節省電路板空間及成本。

所有這些新器件均具有低熱阻 (<0.5°C/W)，并達到一級濕敏 (MSL1) 工業合格水平，也不含鉛、溴化物和鹵素，且符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

IRFH6200TRPbF產品規格

器件編號	封裝	電壓	最大Vgs	Rdson max @ Vgs=4.5	Rdson max @ Vgs=2.5	Id @ Tc=25
IRFH6200TRPbF	PQFN 5x6mm	20 V	±12V	1.2 mΩ	1.4 mΩ	100 A

IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF產品規格

器件編號	封裝	電壓	Rdson max @ Vgs=10	Rdson max @ Vgs=4.5	Qg typ @ Vgs=4.5	Id @ Tc=25
IRFH5250TRPbF	PQFN 5x6mm	25 V	1.15 mΩ	1.7 mΩ	52 nC	100 A
IRFH5300TRPbF	PQFN 5x6mm	30 V	1.4 mΩ	2.1 mΩ	50 nC	100 A
IRFH5301TRPbF	PQFN 5x6mm	30 V	1.85 mΩ	2.9 mΩ	37 nC	100 A
IRFH5302TRPbF	PQFN 5x6mm	30 V	2.1 mΩ	3.5 mΩ	29 nC	100 A

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