位于西班牙巴塞羅那的創(chuàng)業(yè)公司Baolab微系統(tǒng)聲稱，他們開發(fā)出了一種生產(chǎn)技術，可以用標準的CMOS流程來制造MEMS芯片。Baolab的CEO David Doyle說，該技術涉及在互聯(lián)層內(nèi)刻蝕IMD層。與現(xiàn)有MEMS生產(chǎn)技術相比，新技術將大幅降低生產(chǎn)成本。
NanoEMS工藝能以200nm線寬生產(chǎn)MEMS器件(Source: Baolab) Doyle說，在過去的十年內(nèi)，該公司重復可靠地刻蝕掉金屬間的介質層。該方法采用蒸汽氫氟酸（HF）刻蝕，但他回避具體細節(jié)。他說，有些聲稱采用CMOS工藝的MEMS廠商實際上是在標準CMOS晶片之上制造MEMS。這種MEMS-on-CMOS方法增加成本，而Baolab則可以在薄薄的鋁互聯(lián)層內(nèi)制造MEMS。刻蝕使用已經(jīng)大量生產(chǎn)的設備進行，僅需不到一小時，與整個生產(chǎn)過程所需時間相比微不足道。因為只適用標準CMOS工藝，MEMS可以直接與所需的有源電路集成在一起。 Baolab已經(jīng)成功地用標準180納米工藝在200毫米直徑晶片上生產(chǎn)出四個以上金屬層的MEMS器件，最小線寬達到200納米。這比目前常規(guī)MEMS器件小了一個數(shù)量級，把NanoEMS帶到納米結構領域，附帶的好處包括更小的尺寸、更低的功耗和更快的器件。這種器件可以像普通的CMOS器件一樣進行封裝。
有些公司在標準CMOS晶片之上制造MEMS，而Baolab則在金屬層內(nèi)制造MEMS 嵌入式公社編譯 |
