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RF Micro Devices擴(kuò)展其RFMD 業(yè)界領(lǐng)先的氮化鎵工藝技術(shù)，以包括功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的新技術(shù)。 RFMD 推出的最新氮化鎵工藝技術(shù)– rGaN-HV -- 可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用（1 至50 KW）中大幅度降低系統(tǒng)成本和能量消耗。RFMD 推出的 rGaN-HV 技術(shù)可為器件實(shí)現(xiàn)高達(dá)900 伏特的擊穿電壓，具有高峰值電流功能并可在氮化鎵電源開關(guān)和二極管之間進(jìn)行超快速切換。這項(xiàng)新技術(shù)可補(bǔ)充 RFMD 的 GaN1工藝技術(shù)，而GaN1工藝技術(shù)是專為高功率射頻應(yīng)用而優(yōu)化并提供超過 400 伏特的高擊穿電壓；RFMD 的 GaN2 工藝技術(shù)專為高線性度應(yīng)用而設(shè)計(jì)并提供超過 300 伏特的高擊穿電壓。RFMD 將會(huì)在北卡羅來納州、格林斯伯勒的晶圓廠 (fab) 為客戶制造這些分立式功率部件，并為代工客戶提供 rGaN-HV 技術(shù)以使其能定制功率器件解決方案。 RFMD 總裁兼首席執(zhí)行官Bob Bruggeworth 表示：“全球?qū)νㄟ^提高能源轉(zhuǎn)換效率來節(jié)省能源的需求為基于RFMD 氮化鎵功率工藝技術(shù)的高性能功率器件創(chuàng)造了巨大的機(jī)會(huì)。我們期望我們推出的最新氮化鎵功率工藝技術(shù)將會(huì)擴(kuò)大我們?cè)诟唠妷汗β?a href="http://m.qingdxww.cn/keyword/半導(dǎo)體" target="_blank" class="relatedlink">半導(dǎo)體市場(chǎng)中的機(jī)會(huì)，而且，我們很高興能夠?yàn)橥獠康拇た蛻籼峁﹔GaN-HV 技術(shù)，支持他們?cè)诟咝阅芄β势骷袌?chǎng)上獲得成功。” RFMD 的功率變換器件產(chǎn)品線和代工服務(wù)業(yè)務(wù)部門屆時(shí)將于5 月8 -10 日在德國紐倫堡的PCIM 電力工業(yè)會(huì)議上展示其廣泛的氮化鎵技術(shù)組合。更多關(guān)于RFMD 代工服務(wù)的信息，請(qǐng)發(fā)送郵件至 RFMDFoundryServices@rfmd.com 或訪問網(wǎng)站 http://www.rfmd.com/products/powerconversion/ |
