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美國Polar Semiconductor公司與日本瑞薩電子株式會社（Renesas）近日共同宣布，雙方已達成一項重要戰(zhàn)略協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，Polar Semiconductor將獲得瑞薩電子的硅基氮化鎵D型（GaN-on-Si）技術授權，并將在其位于明尼蘇達州的8英寸車規(guī)級量產工廠為瑞薩電子及其他客戶提供650V高壓硅基氮化鎵器件的生產服務。 此次合作標志著Polar Semiconductor與瑞薩電子在半導體領域的深度合作邁出了堅實的一步。Polar Semiconductor作為美國唯一一家專門從事傳感器、電源和高壓半導體代工的廠商，擁有深厚的技術積累和豐富的生產經(jīng)驗。而瑞薩電子則是全球領先的半導體解決方案供應商，在嵌入式處理、模擬、電源及連接方面具備專業(yè)知識，提供完整的半導體解決方案。 硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝，具有優(yōu)異的性能和成本效益。與傳統(tǒng)的橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）技術相比，硅基氮化鎵技術可提供更高的功率效率、更大的功率密度以及更好的可擴展性，廣泛應用于射頻通信、電源管理、汽車電子等領域。 Polar Semiconductor明尼蘇達州工廠最近完成了最先進的加工和自動化設備的擴建，旨在滿足對下一代半導體解決方案日益增長的需求。該工廠將利用這些先進設備，為瑞薩電子及其他客戶生產高質量的650V高壓硅基氮化鎵器件。 Polar Semiconductor總裁兼首席運營官Surya Iyer表示：“這項許可和商業(yè)生產協(xié)議強調了我們對加強美國半導體生態(tài)系統(tǒng)的承諾。GaN是電源和射頻領域改變游戲規(guī)則的技術，與瑞薩電子合作，我們有能力提高商業(yè)生產，推動下一波半導體創(chuàng)新。通過此次合作，我們將共同擴大GaN器件的商業(yè)生產規(guī)模，覆蓋汽車電子、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)能源、消費電子及航空航天與國防等關鍵領域。” 瑞薩電子電源產品集團高級副總裁兼總經(jīng)理Chris Allexandre也對此次合作表示了高度贊賞：“我們很高興與Polar合作，將我們經(jīng)過驗證的氮化鎵技術擴展到200毫米晶圓，并在廣泛的電源轉換市場中利用我們的專業(yè)知識。此次合作確保了美國本土GaN制造能力，并為我們的客戶構建多源供應體系，滿足對高性能電源解決方案日益增長的需求。” |
