ISL9241HRTZ / S9S12G96F0CLFR / ISOW7842DWER / IPB200N25N3G——IC器件

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深圳市明佳達(dá)電子，星際金華長(zhǎng)期（供應(yīng)及回收）原裝庫(kù)存器件！
【供求原裝器件】ISL9241HRTZ電池充電器 / S9S12G96F0CLFR 16位微控制器IC / ISOW7842DWER數(shù)字隔離器 / IPB200N25N3G MOSFET晶體管——IC器件。
【供應(yīng)】只做原裝，庫(kù)存器件，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請(qǐng)以當(dāng)天詢問為準(zhǔn)！
【回收】只需原裝庫(kù)存器件，須有原廠外包裝標(biāo)簽，有庫(kù)存的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！

ISL9241HRTZ：降壓-升壓型電池充電器，帶 SMBus 接口和 USB 送電功能，TQFN-32
型號(hào)：ISL9241HRTZ
封裝：TQFN-32
類型：降壓-升壓型電池充電器
ISL9241HRTZ——產(chǎn)品屬性：
電池化學(xué)成份：鋰離子
電池?cái)?shù)：2 ~ 4
電流 - 充電：恒流 - 可編程
可編程特性：電流，定時(shí)器
故障保護(hù)：過流，超溫，過壓
電池組電壓：3.9V ~ 18.304V
電壓 - 供電（最高）：23.4V
接口：I2C，SMBus
工作溫度：-10°C ~ 100°C
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：32-WFQFN 祼焊盤
供應(yīng)商器件封裝：32-TQFN（4x4）

S9S12G96F0CLFR：125MHz，16位 HCS12 微控制器IC，LQFP-48
型號(hào)：S9S12G96F0CLFR
封裝：LQFP-48
類型：16位微控制器IC
S9S12G96F0CLFR——產(chǎn)品屬性：
系列：HCS12
核心處理器：12V1
內(nèi)核規(guī)格：16 位
速度：25MHz
連接能力：CANbus，IrDA，LINbus，SCI，SPI
外設(shè)：LVD，POR，PWM，WDT
I/O 數(shù)：40
程序存儲(chǔ)容量：96KB（96K x 8）
程序存儲(chǔ)器類型：閃存
EEPROM 容量：3K x 8
RAM 大小：8K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：3.13V ~ 5.5V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器：A/D 12x10b
振蕩器類型：內(nèi)部
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝48-LQFP（7x7）
封裝/外殼：48-LQFP

ISOW7842DWER：具有集成電源的高性能、5000VRMS 四通道增強(qiáng)型數(shù)字隔離器
概述：ISOW7842DWER是一款具有集成式高效電源轉(zhuǎn)換器的高性能四通道增強(qiáng)型數(shù)字隔離器。集成式直流/直流轉(zhuǎn)換器高效運(yùn)行，提供最高可達(dá) 650 mW 的隔離式電源，可按各種輸入和輸出電壓進(jìn)行配置。
ISOW7842DWER——規(guī)格參數(shù)：
技術(shù)：容性耦合
類型：通用
隔離式電源：是
通道數(shù)：4
輸入 - 側(cè) 1/側(cè) 2：2/2
通道類型：?jiǎn)蜗?br /> 電壓 - 隔離：5000Vrms
共模瞬變抗擾度（最小值）：100kV/µs
數(shù)據(jù)速率：100Mbps
傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）：17.6ns，17.6ns
脈寬失真（最大）：4.7ns
上升/下降時(shí)間（典型值）：2ns，2ns
電壓 - 供電：3V ~ 5.5V
工作溫度：-40°C ~ 125°C
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）

IPB200N25N3G：250V，64A，OptiMOS™ N通道 MOSFET 晶體管，TO-263-3
型號(hào)：IPB200N25N3G
封裝：TO-263-3
類型：MOSFET 晶體管
IPB200N25N3G——產(chǎn)品屬性：
系列：OptiMOS™
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：250 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：64A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：20 毫歐 @ 64A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 270µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：86 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：7100 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3
封裝/外殼：TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB