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大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于Diodes產(chǎn)品的140W PD3.1 GaN充電器方案

發(fā)布時(shí)間:2025-3-18 13:18    發(fā)布者:IC電子圈
大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于達(dá)爾科技(Diodes)AP3306、APR3401和AP43771H控制器的140W PD3.1 GaN充電器方案。


圖示1-大聯(lián)大友尚基于Diodes產(chǎn)品的140W PD3.1 GaN充電器方案的展示板圖
如今,智能設(shè)備的高功率快充技術(shù)已成為消費(fèi)者普遍關(guān)注的焦點(diǎn)。在此背景下,氮化鎵作為一種新興半導(dǎo)體材料,憑借卓越的能量轉(zhuǎn)換效率、快速響應(yīng)能力以及低熱損耗特性,正逐漸成為快充領(lǐng)域的新寵。與此同時(shí),USB PD3.1協(xié)議的發(fā)布更是將充電效率提升到一個(gè)新的層次,該協(xié)議不僅顯著提高充電功率,還引入多電壓檔位,使快充技術(shù)更加靈活多變,從而滿足各類智能設(shè)備的充電需求。鑒于此趨勢(shì),大聯(lián)大友尚基于Diodes AP3306、APR3401和AP43771H控制器推出140W PD3.1 GaN充電器方案,采用獲得專利的ACF拓?fù)洌瑵M足DOE VI和COC Tier 2效率要求。并且該方案支持PD3.1功能和AVS 28V,步長為100mV,可降低整體BOM成本。


圖示2-大聯(lián)大友尚基于Diodes產(chǎn)品的140W PD3.1 GaN充電器方案的場(chǎng)景應(yīng)用圖
本方案由AP3306、APR3401和AP43771H三個(gè)主控制器組成。其中,AP3306是一款高度集成的有源箝位反激(ACF)控制器,主要針對(duì)離線電源優(yōu)化設(shè)計(jì),可滿足超低待機(jī)功耗、高功率密度和全面保護(hù)的需求。APR3401是次級(jí)側(cè)同步整流(SR)控制器,它可用作同步的次級(jí)側(cè)MOSFET驅(qū)動(dòng)器DCM操作中的整流,為方案有效降低次級(jí)側(cè)整流器功耗并提供高性能。
AP43771H是一種協(xié)定解碼器,負(fù)責(zé)通過連接的配備USB Type-C®的充電設(shè)備(DUC)匹配相關(guān)的充電器容量和請(qǐng)求,并調(diào)節(jié)充電器的反饋網(wǎng)絡(luò),以滿足DUC的電壓和電流要求。除此之外,方案還采用氮化鎵(GaN)FET進(jìn)一步提升充電效率和熱性能。


圖示3-大聯(lián)大友尚基于Diodes產(chǎn)品的140W PD3.1 GaN充電器方案的方塊圖
達(dá)爾科技(Diodes)是業(yè)內(nèi)先進(jìn)的半導(dǎo)體制造及供應(yīng)商,可為消費(fèi)電子、計(jì)算、通信、工業(yè)和汽車市場(chǎng)提供高質(zhì)量半導(dǎo)體產(chǎn)品。此次大聯(lián)大友尚基于Diodes產(chǎn)品的140W PD3.1 GaN充電器方案,具有高性價(jià)比與高功率密度,可幫助廠商快速完成大功率快充產(chǎn)品設(shè)計(jì)。
核心技術(shù)優(yōu)勢(shì):
AP3306主要特性:
  • 具有回收漏電能量和零電壓開關(guān)功能的有源鉗位反激式拓?fù)洌?li>高壓啟動(dòng),用于VCCL引腳的嵌入式VCC LDO,可保證寬范圍輸出電壓;
  • 在輸出短路情況下保持恒定的低輸出電流;
  • 無聲雜訊準(zhǔn)諧振控制;
  • 啟動(dòng)過程中的軟啟動(dòng),頻率折返以實(shí)現(xiàn)高平均效率;
  • 具有FOCP的次級(jí)繞組短路保護(hù),用于降低EMI的頻率抖動(dòng)X-CAP放電功能;
  • 有用的Pin故障保護(hù):SENSE引腳浮動(dòng)保護(hù)/FB/光耦合器開路/短路保護(hù);
  • 全面的系統(tǒng)保護(hù)功能:VOVP/OLP/BNO/SOVP/SSCP。
APR3401主要特點(diǎn):
  • 同步整流適用于DCM/QR/ACF操作模式;
  • 消除諧振振鈴干擾;
  • 使用的外部元件最少。
AP43771H主要特點(diǎn):
  • 支持USB PD Rev 3.1,用于系統(tǒng)配置的MTP主固件的OTP;
  • 工作電壓范圍:3.3V至28V用于CV和CC控制的內(nèi)置穩(wěn)壓器;
  • 可程式設(shè)計(jì)OVP/UVP/OCP/OTP,支持省電模式;
  • 用于VBUS供電的外部N-MOSFET控制;
  • 支持e-Marker電纜檢測(cè)W-DFN3030-14封裝。
方案規(guī)格:
主電源規(guī)格:
  • 輸入電壓:90Vac~ 264Vac;
  • 輸入待機(jī)功率:<80Mw;
  • 主輸出:5V/3A、9V/3A、15V/3A、20V/3A、28V/5A;
  • 效率:DOE VI 和 COC Tier 2;
  • 支持最大輸出:140W PD3.1;
  • 保護(hù):OCP、VP、UVP、OLP、OTP、SCP;
  • 尺寸:
  • PCB:84mm×55mm×23mm;
  • Case:88mm×59mm×27mm;
  • 功率密度指數(shù):1W/CC。
本篇新聞主要來源自大大通:
Diodes :完整的超高功率密度140瓦PD3.1 GaN充電器解決方案
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