MOSFET 晶體管：STF22NM60N，QCPL-A58JV-500E，IPB029N15NM6

xingjijinhua

STF22NM60N 600V MDmesh™ II N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產品描述
STF22NM60N 是采用第二代 MDmesh™ 技術開發的 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。

特性
100% 經過雪崩測試
低輸入電容和柵極電荷
低柵極輸入電阻

應用
開關應用

帶 R2Coupler™ 隔離功能的 QCPL-A58JV-500E 汽車光 MOSFET

產品描述
QCPL-A58JV-500E 由一個 AlGaAs 紅外發光二極管 (LED) 輸入級與一個高壓輸出檢測器電路光學耦合組成。檢測器由高速光電二極管陣列和驅動電路組成，用于接通/斷開兩個分立式高壓 MOSFET。光 MOSFET 打開（觸點閉合）時，通過輸入 LED 的最小輸入電流為 7 mA。輸入電壓為 0.4V 或更低時，光 MOSFET 關斷（觸點打開）。

特性
擊穿電壓，BVDSS：IDSS = 250 µA 時為 1500V
雪崩額定 MOSFET
低關態漏電：
- 在 VDS = 1000V 時，QCPL-A58JV 的 IOFF < 1 µA
- VDS = 1000V 時，QCPL-A58JT 的 IOFF < 5 µA
導通電阻，在 ILOAD = 10 mA 時，RDS(ON) < 250Ω
開啟時間： TON < 4 ms
關斷時間： TOFF < 0.5 ms
封裝：300 密耳 SO-16
爬電距離和間隙 ≥ 8 mm（輸入-輸出）
間隙 > 5 mm（MOSFET 漏極引腳之間）
安全和監管認證：
- IEC/EN/DIN EN 60747-5-5
- 最大工作絕緣電壓 1414 VPEAK
- 1 分鐘 5000 VRMS，符合 UL1577 標準
- CSA 元件驗收

應用
電池絕緣電阻測量/泄漏檢測
用于檢測電池的 BMS 飛行電容器拓撲結構

IPB029N15NM6 150V OptiMOS™ 6 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

產品說明
IPB029N15NM6 OptiMOS™ 6 150 V 正常電平在競爭激烈的 150 V 市場中創造了新的性能水平。

OptiMOS™ 6 150 V 技術旨在滿足高、低開關頻率應用以及硬開關和軟開關的要求。

特點
RDS(on) 比 OptiMOS™ 5 低 40
150 V 時的業界最低 Qrr
與 OptiMOS™ 5 相比，二極管軟性得到改善
+/-500 mV 的嚴格 Vgs(th) 分布
高雪崩堅固性
最大 Tj 為 175°C 和 MSL1

優勢
低導通和開關損耗
穩定運行，改善 EMI
并聯時可更好地分擔電流
穩健性增強
提高系統可靠性

應用
輕型電動汽車 (LEV)
電機控制
電動工具

明佳達，星際金華供應MOSFET 晶體管：STF22NM60N，QCPL-A58JV-500E，IPB029N15NM6