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～650V耐壓、TOLL封裝的GaN HEMT有助于進一步提高電源效率～ 全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN™產品GaN HEMT，被先進的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata Power Solutions的AI（人工智能）服務器電源采用。羅姆的GaN HEMT具有低損耗工作和高速開關性能，助力Murata Power Solutions的AI服務器5.5kW輸出電源單元實現小型化和高效率工作。預計該電源單元將于2025年開始量產。 近年來，隨著AI（人工智能）和AR（增強現實）等在IoT領域的發展，數據通信量在全球范圍內呈現持續增加趨勢。其中，據說使用AI進行一次查詢所消耗的電量比普通的網頁搜索要高數倍，這就迫切需要為處理這些查詢的高速運算設備等供電的AI服務器電源進一步提高效率。另一方面，具有低導通電阻和高速開關特性的GaN器件因其有助于電源的高效率工作和外圍元器件（如電源電路中使用的電感器等）的小型化而備受矚目。 Murata Power Solutions Technical Fellow Dr. Joe Liu表示：“很高興通過使用羅姆的GaN HEMT，使我們能夠設計出具有更高效率和更高功率密度的AI服務器電源單元。利用GaN HEMT的高速開關工作、低寄生電容以及零反向恢復特性，可將對開關損耗的影響控制到最小，還可提高開關轉換器的工作頻率并削減磁性元器件的尺寸。羅姆的GaN HEMT在性能方面非常具有競爭力，且可靠性也很高，用在我們的AI服務器5.5kW輸出電源單元中，取得了非常好的效果。未來，我們將通過繼續與在功率半導體領域優勢顯著的羅姆合作，努力提高各種電源的效率，為解決電力供需緊張的社會課題貢獻力量。” 羅姆 LSI事業本部 Power Stage產品開發部 部長 山口雄平表示：“羅姆的EcoGaN™能夠被電源領域的全球領導者Murata Power Solutions的AI服務器電源單元采用，深感榮幸。這次采用的GaN HEMT具有行業先進的開關性能，而且使用的是散熱性優異的TOLL封裝，有助于Murata Power Solutions的電源單元實現更高功率密度和更高效率。另外，在“通過電子產品為社會做貢獻”方面，Murata Power Solutions與羅姆的經營愿景一致，我們希望未來也繼續與村田制作所合作，雙方共同促進電源的小型化和效率提升，并為人們豐富多彩的生活貢獻力量。 關于Murata Power Solutions的AI服務器電源單元 Murata Power Solutions的AC-DC電源“1U前端”系列包括高功率密度Short Version的M-CRPS封裝3.2kW電源“D1U T-W-3200-12-HB4C”（輸出12V版）和“D1U T-W-3200-54-HB4C”（輸出54V版） ，另外還新增了AI服務器用的5.5kW“D1U67T-W-5500-50-HB4C”等產品。Murata Power Solutions的前端電源的轉換效率很高，可以滿足80 Plus Titanium和開放計算產品的最嚴格要求；還支持N+M冗余工作，可提高系統的可靠性，因此也適合為最新的GPU服務器供電。不僅能夠為服務器、工作站、存儲系統和通信系統提供可靠性高且效率高的電力，而且其低矮的1U尺寸還有助于削減系統面積。 關于羅姆的EcoGaN™ EcoGaN™是通過更大程度地發揮GaN的性能，助力應用產品進一步節能和小型化的羅姆GaN器件，該系列產品有助于應用產品進一步降低功耗、實現外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數量等。 ・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。 關于村田制作所 村田制作所是一家全球綜合電子元器件制造商，主要從事以陶瓷為基礎的電子元器件的開發、生產和銷售。致力于通過自主開發并積累的材料開發、流程開發、產品設計、生產技術、以及支持它們的軟件和分析、評估等技術基礎，村田制作所創造出獨具創新的產品，為電子社會的發展做出貢獻。 關于羅姆 羅姆是成立于1958年的半導體電子元器件制造商。通過鋪設到全球的開發與銷售網絡，為汽車和工業設備市場以及消費電子、通信等眾多市場提供高品質和高可靠性的IC、分立半導體和電子元器件產品。 在羅姆自身擅長的功率電子領域和模擬領域，羅姆的優勢是提供包括碳化硅功率元器件及充分地發揮其性能的驅動IC、以及晶體管、二極管、電阻器等外圍元器件在內的系統整體的優化解決方案。 |
