IS46LQ32128A-062TBLA2存儲(chǔ)器，AD7793BRUZ模擬前端，TPS22965PQWDSGRQ1汽車負(fù)載開(kāi)關(guān)

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深圳市明佳達(dá)電子，星際金華長(zhǎng)期（供應(yīng)及回收）原裝庫(kù)存器件！
（供求）IS46LQ32128A-062TBLA2存儲(chǔ)器，AD7793BRUZ模擬前端，TPS22965PQWDSGRQ1汽車負(fù)載開(kāi)關(guān)。
【供應(yīng)】只做原裝，庫(kù)存器件，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請(qǐng)以當(dāng)天詢問(wèn)為準(zhǔn)！
【回收】只需原裝庫(kù)存器件，須有原廠外包裝標(biāo)簽，有庫(kù)存的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！

IS46LQ32128A-062TBLA2：同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（SDRAM）LPDDR4 存儲(chǔ)器 IC
型號(hào)：IS46LQ32128A-062TBLA2
封裝：VFBGA-200
類型：SDRAM LPDDR4 存儲(chǔ)器
IS46LQ32128A-062TBLA2——產(chǎn)品屬性：
存儲(chǔ)器類型：易失
存儲(chǔ)器格式：DRAM
技術(shù)：SDRAM - Mobile LPDDR4
存儲(chǔ)容量：4Gb
存儲(chǔ)器組織：128M x 32
存儲(chǔ)器接口：LVSTL
時(shí)鐘頻率：1.6 GHz
寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：18ns
訪問(wèn)時(shí)間：3.5 ns
電壓 - 供電：1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V
工作溫度：-40°C ~ 105°C（TC）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：200-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝：200-VFBGA（10x14.5）

AD7793BRUZ：3通道、低噪聲、低功耗、24位Σ-Δ型ADC，內(nèi)置片內(nèi)儀表放大器和基準(zhǔn)電壓源
描述：
AD7793BRUZ 適合高精度測(cè)量應(yīng)用的低功耗、低噪聲、完整模擬前端，內(nèi)置一個(gè)低噪聲16位/24位Σ-Δ型ADC，其中含有3個(gè)差分模擬輸入，還集成了片內(nèi)低噪聲儀表放大器，因而可直接輸入小信號(hào)。當(dāng)增益設(shè)置為64、更新速率為4.17 Hz時(shí)，均方根（RMS）噪聲為40 nV。
AD7793BRUZ——產(chǎn)品特性：
最高23位有效分辨率
均方根（RMS）噪聲
40 nV（4.17 Hz時(shí)）
85 nV（16.7 Hz時(shí)）
功耗：400 µA（典型值）
省電模式：最大1 µA
更新速率：4.17 Hz～470 Hz
3個(gè)差分輸入

TPS22965PQWDSGRQ1：?jiǎn)瓮ǖ馈?.7V、4A、16mΩ 導(dǎo)通電阻汽車負(fù)載開(kāi)關(guān)
描述：TPS22965PQWDSGRQ1 是一款具有受控導(dǎo)通功能的小型、超低 RON 單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。該器件包含一個(gè)可在 0.8V 至 5.5V 輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的 N 溝道 MOSFET，并且支持 4A 的最大持續(xù)電流。VOUT 上升時(shí)間是可配置的，因此可以減小浪涌電流。
TPS22965PQWDSGRQ1——產(chǎn)品特性：
集成型單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)
輸入電壓范圍：0.8V 至 5.5V
超低導(dǎo)通電阻 (RON)
VIN = 5V (VBIAS = 5V) 時(shí)，RON = 16mΩ
VIN = 3.6V (VBIAS = 5V) 時(shí)，RON = 16mΩ
VIN = 1.8V (VBIAS = 5V) 時(shí)，RON = 16mΩ
4A 最大連續(xù)開(kāi)關(guān)電流
低靜態(tài)電流 (50µA)
低控制輸入閾值支持使用 1.2V、1.8V、2.5V 和 3.3V 邏輯器件
可配置上升時(shí)間
快速輸出放電 (QOD)
帶有散熱焊盤(pán)的 WSON 8 引腳封裝