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[供應(yīng)] NAND閃存芯片MT29F8G01ADAFD12-AAT:F,MT29F8G08ADADAH4-IT:D,MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F

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發(fā)表于 2025-2-7 10:40:04 | 只看該作者 回帖獎(jiǎng)勵(lì) |倒序?yàn)g覽 |閱讀模式
明佳達(dá),星際金華供求NAND閃存芯片MT29F8G01ADAFD12-AAT:F,MT29F8G08ADADAH4-IT,MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F



MT29F8G01ADAFD12-AAT:F 8Gbit 多路 NAND 閃存 IC 24-TBGA

產(chǎn)品描述
MT29F8G01ADAFD12-AAT:F 是 8Gbit SPI 3.3V 多路復(fù)用 NAND 閃存芯片,封裝為 24TBGA。

特性
隨機(jī)讀取:25µs
塊擦除:2 毫秒(典型值)
工作溫度: 商用(0°C 至 70°C)
擴(kuò)展溫度(-40°C 至 +85°C)

MT29F8G08ADADAH4-IT NAND 閃存芯片 63-VFBGA

產(chǎn)品描述
MT29F8G08ADADAH4-IT 是 NAND 閃存設(shè)備,包括一個(gè)異步數(shù)據(jù)接口,用于高性能 I/O 操作。它有五個(gè)控制信號(hào)用于實(shí)現(xiàn)異步數(shù)據(jù)接口: CE#、CLE、ALE、WE# 和 RE#。

特性
tRC/tWC:20ns(3.3V),25ns(1.8V)
程序頁(yè)面: 200µs (TYP: 1.8V, 3.3V)
交錯(cuò)芯片 (LUN) 操作
第一個(gè)塊(塊地址 00h)在出廠(chǎng)時(shí)帶 ECC 時(shí)有效。

MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F 4Gbit 并行存儲(chǔ)器芯片 63-VFBGA

產(chǎn)品描述
MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F 是 4Gbit 并行 FLASH - NAND 存儲(chǔ)器 IC,封裝為 63-VFBGA (9mmx11mm)。

特性
接口類(lèi)型:  并行
數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 位
組織結(jié)構(gòu) 512M x 8
定時(shí)類(lèi)型 異步

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