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近日，三星電子宣布，其半導體研究所已成功完成了一項具有里程碑意義的研發——突破性400層NAND技術的開發。 據悉，三星電子于今年早些時候開始著手研發400層NAND技術，并在短時間內取得了顯著的進展。該技術涉及垂直堆疊存儲單元，通過增加存儲單元的層數，大幅度提高了存儲密度和效率。相比傳統的平面（2D）NAND技術，3D NAND技術具有更高的存儲性能和更低的能耗，是當前存儲技術發展的重要方向。 三星電子在400層NAND技術的研發過程中，引入了“三重堆疊”技術，將存儲單元堆疊成三層，這一創新使得存儲單元的堆疊更加緊密，進一步提升了存儲性能。該技術的成功研發，不僅為三星電子在NAND閃存市場占據領先地位提供了有力支持，也為未來存儲技術的發展奠定了堅實基礎。 值得一提的是，三星電子計劃于2025年2月在美國舉行的國際固態電路會議（ISSCC）上，提供有關其1Tb容量400層三級單元（TLC）NAND的詳細公告。此外，三星電子還計劃于明年下半年開始量產這種先進的NAND閃存，以滿足市場對高性能存儲解決方案的需求。 隨著全球大數據、人工智能等技術的快速發展，對存儲技術的需求也在不斷增長。三星電子此次成功研發的400層NAND技術，將有助于提高數據存儲的密度和效率，滿足日益增長的存儲需求。同時，該技術的成功也將為三星電子在全球半導體市場中的競爭提供有力支持。 除了400層NAND技術，三星電子還在不斷擴展其先進產品線的產量。在平澤園區，三星電子計劃安裝新的第9代（286層）生產設施，該設施預計每月產能將達到3萬至4萬片晶圓。此外，三星電子的西安工廠也將繼續將128層（V6）NAND生產線轉換為236層（V8）產品工藝，以進一步提升生產效率。 |
