存儲器：S70KL1283GABHB023，S27KS0642GABHI033，S70KL1282GABHB020

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明佳達，星際金華供求 存儲器：S70KL1283GABHB023，S27KS0642GABHI033，S70KL1282GABHB020



S70KL1283GABHB023 24-FBGA 偽 SRAM 存儲器芯片

產品描述
S70KL1283GABHB023 xSPI（八進制）是一種兼容 SPI 的低信號計數 DDR 接口，支持八個 I/O。xSPI (Octal) 中的 DDR 協議在 DQ 輸入/輸出信號上每個時鐘周期傳輸兩個數據字節。

特點
單端時鐘 (CK) - 11 個總線信號
可配置的突發特性
可配置的輸出驅動強度
3.0 V VCC/VCCQ 時的最大時鐘速率為 200 MHz
在所有事務開始時輸出，以指示刷新延遲

S27KS0642GABHI033 自刷新 DRAM 24-FBGA 64Mbit HyperBus

產品描述
S27KS0642GABHI033 是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM，帶有 HYPERBUS™ 接口，偽 SRAM 存儲器 IC。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動態單元。

特性
HYPERBUS™ 接口，1.8 V/3.0 V
部分存儲器陣列（1/8、1/4、1/2 等）
64Mb HYPERRAM™ 自刷新 DRAM (PSRAM)
在讀取事務期間，RWDS 被第二個時鐘抵消，相位從 CK 開始偏移

128Mbit S70KL1282GABHB020 偽 SRAM 存儲器 IC 24-FBGA 表面貼裝

產品描述
S70KL1282GABHB020 是 128Mbit PSRAM（偽 SRAM）存儲 IC，HYPERBUS™ 接口，1.8 V/3.0 V，封裝為 24-FBGA (6x8)。

特性
200 MHz 最大時鐘頻率
技術：38 納米 DRAM
1.8 V VCC/VCCQ 時的最大時鐘頻率：200 MHz
突發讀取或寫入（200 MHz 時的線性突發，3.0 V）： 60 mA