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隨著IT技術的不斷發展，對于非易失性存儲器的需求越來越大，讀寫速度要求越來越快，功耗要求越來越小，現有的傳統非易失性存儲器，如EEPROM、FLASH等已經難以滿足這些需要了。同傳統的非易失性存儲器相比，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性，因此受到很大關注。今天Aigtek安泰電子就給大家介紹一下和鐵電材料密切相關的鐵電存儲器（FRAM），以及功率放大器在鐵電存儲器（FRAM）鐵電疇的高壓極化測試中的應用。 鐵電存儲器(FRAM，ferroelectricRAM)是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問結合起來。由于鐵電存儲器不像動態隨機存取存儲器(DRAM)和靜態隨機存取存儲器(SRAM)一樣密集，它很可能不能取代這些技術。 二、鐵電存儲器的工作原理 FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲。鐵電效應是指在鐵晶體上施加一定電場時，晶體中心原子在電場的作用下移動，達到穩定狀態;當電場從晶體中移除時，中心原子將保持在原始位置。這是因為晶體的中間層是一個高能階，當沒有獲得外部能量時，中心原子不能超過高能階到達另一個穩定位置。因此，FRAM不需要電壓來保持數據，也不需要像DRAM那樣定期刷新。由于鐵電效應是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關，所以FRAM存儲器的內容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性。 FRAM的特點是速度快，可以像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在E2PROM等最大寫作次數的問題。然而，受鐵晶體特性的限制，FRAM的訪問次數仍然最多。 三、鐵電存儲器應用 由于鐵電存儲器可以在非常低的電能需求下快速存儲，因此有望廣泛應用于消費者的小型設備中，如個人數字助理(PDA)、手機、電源表、智能卡和安全系統。鐵電存儲器(FRAM)比閃存快。在某些應用中，它也可能取代電能擦除只讀存儲器(EEPROM)和靜態隨機存取存儲器(SRAM)，成為未來無線產品的關鍵元件。 以上就是關于鐵電存儲器的原理與應用，以及功率放大器在鐵電存儲器（FRAM）鐵電疇的高壓極化測試中的應用的全部內容分享，相信大家看完之后對高壓放大器以及鐵電存儲器有了更深的了解，更多精彩歡迎持續關注我們。 功率放大器在鐵電材料極化測試中的應用 對于鐵電材料極化測試，我們的ATA-7000系列高壓放大器能很好地勝任此工作，在鐵電材料極化測試中也有著良好應用，它是一款理想的可放大交、直流信號的高壓放大器。單端輸出20kVp-p（±10kVp）高壓，可以驅動高壓型負載。電壓增益數控可調，一鍵保存常用設置，為您提供了方便簡潔的操作選擇，參數指標可進行個性化定制。 圖：ATA-7100高壓放大器指標參數 西安安泰電子是專業從事功率放大器、高壓放大器、功率信號源、前置微小信號放大器、高精度電壓源、高精度電流源等電子測量儀器研發、生產和銷售的高科技企業，為用戶提供具有競爭力的測試方案。Aigtek已經成為在業界擁有廣泛產品線，且具有相當規模的儀器設備供應商，樣機都支持免費試用。如想了解更多功率放大器www.aigtek.com |
