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10月29日，英飛凌（Infineon）宣布成功推出全球最薄的硅功率晶圓。這款晶圓的直徑為30mm，厚度僅為20微米，相當于人類頭發絲的四分之一，是目前最先進的40-60微米晶圓厚度的一半。這一技術突破不僅彰顯了英飛凌在半導體領域的卓越實力，更為全球半導體技術的發展開啟了新的篇章。 英飛凌此次推出的全球最薄硅功率晶圓，采用了業界領先的加工技術，通過降低晶圓厚度，將基板電阻減半，進而將功率損耗減少了15%以上。這一技術突破不僅提升了晶圓的性能，還為功率器件的集成和設計提供了更多可能性。據英飛凌官方介紹，這款晶圓已被應用于其集成智能功率級（如直流-直流轉換器）中，并成功交付給首批客戶，展現出了廣闊的市場前景。 此外，英飛凌的新型晶圓在電動汽車、智能家居設備以及綠色能源項目中也具有重要潛力。隨著全球對可持續發展和節能減排的需求不斷增加，英飛凌的這款最薄硅功率晶圓將成為推動這一轉變的重要力量。其超薄設計和高效能的特性，預示著未來半導體行業將向著更高的技術標準和更靈活的設計方向邁進。 英飛凌科技電源與傳感系統事業部總裁在發布會上表示：“這款全球最薄的硅晶圓展現了我們致力于通過推動功率半導體技術的發展，為客戶創造非凡的價值。英飛凌在超薄晶圓技術方面的突破標志著我們在節能功率解決方案領域邁出了重要一步，并且有助于我們充分發揮全球低碳化和數字化趨勢的潛力。” |
