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2025第三代功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用技術(shù)展覽會 時間：2025年11月20-22日 地點：廣州琶洲保利世貿(mào)博覽館 聯(lián)系方式： E-mail：2100343293@qq.com 聯(lián)系人：徐 妍159 8923 3176 Wechat 誠邀貴單位隆重參展——APSME 2025 聚焦前沿技術(shù)突破 賦能產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新融合 ※ 展會介紹 近年來，我國信息技術(shù)得到迅猛發(fā)展，半導(dǎo)體作為其中的關(guān)鍵器件起著重要的作用。政策方面國家出臺了一系列相關(guān)政策旨在大力提升先進(jìn)計算、新型智能終端、超高清視頻、網(wǎng)絡(luò)安全等數(shù)字優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)競爭力，積極推進(jìn)光電子、高端軟件等核心基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新突破，這大大提高了對半導(dǎo)體的需求，同時外部環(huán)境美國在芯片方面的制裁促使國家對芯片半導(dǎo)體的重視。種種原因使得中國半導(dǎo)體市場規(guī)模增長迅速，2022年中國第三代半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到111.79億元，同比增長39.2%，2018年到2022年復(fù)合增長率為43%，增長速度驚人。其中2022年氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到62.58億元，碳化硅(SiC)半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到43.45億元，其他化合物半導(dǎo)體為5.76億元。 以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。伴隨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸復(fù)蘇，以及電動汽車、新能源等應(yīng)用市場的蓬勃發(fā)展，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)取得顯著進(jìn)步。在此背景下，由深圳新芯能展覽有限公司聯(lián)合粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟共同主辦的APSME 2025第三代半導(dǎo)體器件及應(yīng)用技術(shù)展覽會，將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦，重點展示功率半導(dǎo)體(IGBT和MOSFET)SiC功率器件、GaN功率器件、GaN功率芯片、二極管、三極管濾波元件等，同時組委會邀請全球的新能源汽車、光伏、風(fēng)能、儲能、5G通信、衛(wèi)星通信、光通信、電力電子、智能電網(wǎng)等預(yù)計上萬名專業(yè)觀眾歡聚一堂，參加展會。 ※ 展品范圍 ● 硅基功率器件(MOSFET/IGBT)等； ● 第三代半導(dǎo)體SiC/GaN器件； ● 外延片、襯底材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、硅(Si)、砷化鎵(GaAs)等； ● GaN功率芯片、二極管、三極管濾波元件等； ● 設(shè)計開發(fā) ● 生產(chǎn)設(shè)備 ● 封裝測試 ● 散熱管理 ● 可靠性測試及認(rèn)證 ● 信息服務(wù) ※ 同期展覽 亞洲國際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會 匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示與技術(shù)交流平臺 行業(yè)盛會APSME 2025亞洲國際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購及技術(shù)交流平臺，集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、材料、封裝技術(shù)、測試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品，致力于先進(jìn)半導(dǎo)體器件、封裝測試、工藝流程、創(chuàng)新應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)鏈間的合作，為上游及材料設(shè)備搭建交流協(xié)作的橋梁。展會期間還將舉辦一系列技術(shù)論壇，展示全球產(chǎn)業(yè)動態(tài)及未來技術(shù)趨勢。 ※ 同期論壇 展會同期舉辦各種主題的技術(shù)論壇，以配合各個展區(qū)展示產(chǎn)品。組委會將嚴(yán)格篩選演講嘉賓和演講主題，以技術(shù)為主，配合適量的品牌宣傳，以確保技術(shù)論壇介紹世界范圍內(nèi)先進(jìn)的、前沿的功率半導(dǎo)體技術(shù)，為廣大半導(dǎo)體行業(yè)人士奉送一場“美味佳肴”。 ◆ 車規(guī)級功率半導(dǎo)體論壇 ◆ 功率半導(dǎo)體IGBT/SiC產(chǎn)業(yè)論壇 ◆ 化合物半導(dǎo)體技術(shù)與應(yīng)用發(fā)展論壇 ◆ GaN氮化鎵|半導(dǎo)體功率器件技術(shù)論壇 ◆ 功率mosfet-Si硅/SiC碳化硅|半導(dǎo)體功率器件技術(shù)論壇 ◆ 碳化硅襯底材料生長與加工技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展論壇 ◆ 第三代半導(dǎo)體材料制造與裝備技術(shù)高峰論壇 ◆ 功率半導(dǎo)體器件性能開發(fā)與測試技術(shù)論壇 歡迎業(yè)界同仁踴躍報名參展，現(xiàn)正接受申請，請速與我們聯(lián)系，索取參展合同及展位平面圖！充分利用APSME 2025，鞏固您的市場地位！ |
