大聯(lián)大旗下友尚推出基于意法半導(dǎo)體（ST）ST-ONEHP器件的140W USB PD3.1快充方案。
圖示1-大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案的展示板圖 近年來，快充行業(yè)不斷經(jīng)歷創(chuàng)新升級，每一次技術(shù)的躍進(jìn)都為充電的效率與安全性帶來革命性變革。特別是USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)的引入，更是為該行業(yè)的發(fā)展樹立了新的里程碑。該標(biāo)準(zhǔn)不僅將最大充電功率提升至240W，同時(shí)新增多組固定和可調(diào)輸出電壓檔位，可為各種電子設(shè)備提供更加靈活、高效的充電方案。在此背景下，大聯(lián)大友尚基于ST-ONEHP器件推出140W USB PD3.1快充方案。
圖示2-大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案的實(shí)體圖 ST-ONEHP是ST-ONE系列數(shù)字控制器的一員，其采用新型非互補(bǔ)ACF控制和同步整流技術(shù)，內(nèi)置USB-PD 3.1 EPR協(xié)議，是全球首款搭載ARM Cortex M0+核心的嵌入式控制器，支持離線可編程控制和同步整流功能。該器件與USB PD PHY一體封裝，采用強(qiáng)化電流隔離的集成單片設(shè)計(jì)，能夠高效地控制ZVS非互補(bǔ)有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器。ST-ONEHP擁有最高4kV的瞬態(tài)電壓和800V的高壓啟動(dòng)能力，并集成輸入電壓檢測和過壓/欠壓檢測功能，可提升電路安全性。 在設(shè)計(jì)中，ST-ONEHP與MasterGaN結(jié)合使用，可發(fā)揮更出色的效能。MasterGaN是一款封裝為9mm×9mm的電源產(chǎn)品，其內(nèi)置兩個(gè)GaN MOS和高壓驅(qū)動(dòng)，相較于傳統(tǒng)Si MOS，具有優(yōu)越的熱性能和開關(guān)效率等優(yōu)勢。在本方案中，采用MasterGaN1產(chǎn)品，在有效優(yōu)化PCB的電路設(shè)計(jì)和體積的同時(shí)，提升充電體驗(yàn)。
圖示3-大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案的方塊圖 除此之外，本方案還采用ST旗下高性能MOSFET STL36N60M6和PFC控制器L6563S，借助這些器件的優(yōu)勢，方案能夠協(xié)助廠商快速推出穩(wěn)定且具有高功率密度的快充產(chǎn)品，極大縮短開發(fā)周期并簡化BOM成本。 核心技術(shù)優(yōu)勢： 較少的外圍器件，集成32位Cortex M0+內(nèi)核、64kB Flash實(shí)現(xiàn)數(shù)字控制； 最大輸出功率140W、最高效率>94%； 高功率密度>25W/inch3； 內(nèi)置高壓啟動(dòng)、X-CAP自放電線路和負(fù)載開關(guān)功能，各種安全保護(hù)線路； 具有強(qiáng)化電流隔離的集成單片。 方案規(guī)格： 輸入電壓范圍：90Vac~264Vac/47Hz~63Hz； PCB尺寸：85mm×55mm×23.5mm，（L×W×H）； 輸出：SPR：5V@3.75A、9V@3.75A、15V@3.75A、20V@5A； EPR：28V@5A； AVS：15V~28V@5A with 100 mV step； USB PD 3.1 EPR認(rèn)證。 |
