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來源：全球半導(dǎo)體觀察 自半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇信號(hào)釋出后，業(yè)界布局不斷，其中不乏出現(xiàn)聯(lián)電、英特爾、Soitec、神盾集團(tuán)等企業(yè)身影，涉及晶圓代工、第三代半導(dǎo)體、芯片設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體材料等領(lǐng)域。針對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)頻繁動(dòng)態(tài)，業(yè)界認(rèn)為，這是一個(gè)積極的現(xiàn)象，有利于行業(yè)發(fā)展。近期，半導(dǎo)體企業(yè)合作傳來新的進(jìn)展。 晶圓代工：聯(lián)電x英特爾曝進(jìn)展，12nm預(yù)計(jì)2026年“收官” 5月30日，晶圓代工大廠聯(lián)電召開年度股東會(huì)，共同總經(jīng)理簡(jiǎn)山杰表示，與英特爾合作開發(fā)12nm制程平臺(tái)將是聯(lián)電未來技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵點(diǎn)，預(yù)計(jì)2026年開發(fā)完成，2027年進(jìn)入量產(chǎn)。 2024年1月，聯(lián)電與英特爾宣布雙方將合作開發(fā)12nm FinFET制程平臺(tái)，以因應(yīng)移動(dòng)、通訊基礎(chǔ)建設(shè)和網(wǎng)絡(luò)等市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)。雙方認(rèn)為，這項(xiàng)長(zhǎng)期合作結(jié)合英特爾位于美國(guó)的大規(guī)模制造產(chǎn)能，和聯(lián)電在成熟制程上豐富的晶圓代工經(jīng)驗(yàn)，以擴(kuò)充制程組合，同時(shí)提供更佳的區(qū)域多元且具韌性的供應(yīng)鏈，協(xié)助全球客戶做出更好的采購(gòu)決策。 對(duì)此，先前聯(lián)電共同總經(jīng)理王石曾經(jīng)表示，聯(lián)電與英特爾進(jìn)行在美國(guó)制造的12nm FinFET制程合作，是聯(lián)電追求具成本效益的產(chǎn)能擴(kuò)張，和技術(shù)節(jié)點(diǎn)升級(jí)策略的重要一環(huán)，此舉并延續(xù)聯(lián)電對(duì)客戶的一貫承諾。這項(xiàng)合作將協(xié)助客戶順利升級(jí)到此關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)，同時(shí)受惠于擴(kuò)展位于北美市場(chǎng)產(chǎn)能帶來的供應(yīng)鏈韌性。聯(lián)電期待與英特爾展開策略合作，利用雙方的互補(bǔ)優(yōu)勢(shì)，以擴(kuò)大潛在市場(chǎng)，同時(shí)大幅加快技術(shù)發(fā)展時(shí)程。 簡(jiǎn)山杰在本次股東會(huì)上指出，聯(lián)電正開積極開發(fā)的12nm FinFET制程技術(shù)平臺(tái)相對(duì)于前一代的14nm FinFET制程技術(shù)平臺(tái)，除性能將大幅提升之外，芯片的尺寸也將變小，功耗能進(jìn)一步降低，可充分發(fā)揮FinFET在性能、功耗、以及閘密度所具備的優(yōu)勢(shì)、可廣泛用于各種半導(dǎo)體產(chǎn)品上。聯(lián)電預(yù)計(jì)，12nmFinFET制程技術(shù)平臺(tái)預(yù)計(jì)2026年開發(fā)完成，2027年進(jìn)入量產(chǎn)。 除了制程研發(fā)，聯(lián)電也正在加速產(chǎn)能進(jìn)程，5月21日，聯(lián)電宣布新加坡Fab12i首批機(jī)臺(tái)設(shè)備進(jìn)廠。聯(lián)電表示，聯(lián)電新加坡投入12英寸晶圓制造廠營(yíng)運(yùn)超過20年，新加坡Fab12i P3廠也是聯(lián)電先進(jìn)特殊制程研發(fā)中心。 此外，展望2024年第二季，聯(lián)電表示，隨著電腦、消費(fèi)及通訊領(lǐng)域的庫(kù)存狀況逐漸回到較為健康的水位，聯(lián)電預(yù)期整體晶圓出貨量將略為上升。在車用和工業(yè)領(lǐng)域方面，由于庫(kù)存消化速度低于預(yù)期，需求仍舊低迷。盡管短期間仍將受到總體經(jīng)濟(jì)環(huán)境的不確定性和成本壓力的影響，聯(lián)電仍將在技術(shù)、產(chǎn)能及人才方面持續(xù)投資，以確保我們能夠做好充分準(zhǔn)備，迎接下一階段5G和AI創(chuàng)新所驅(qū)動(dòng)的成長(zhǎng)。 氮化鎵：佳恩半導(dǎo)體x西安電子科技大學(xué) 5月28日，青島佳恩半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“佳恩半導(dǎo)體”）與西安電子科技大學(xué)戰(zhàn)略合作簽約儀式在青島舉行。 資料顯示，青島佳恩半導(dǎo)體有限公司一直致力于高端半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、開發(fā)、制造及銷售，作為新一代的功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，佳恩掌握著創(chuàng)新型功率半導(dǎo)體核心技術(shù)，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和自主品牌。 佳恩半導(dǎo)體表示，此次簽約儀式雙方就共同研究開展GAN（氮化鎵）功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與特性仿真，獲得器件優(yōu)化結(jié)構(gòu)及參數(shù)，基于氮化鎵器件制造平臺(tái)開展器件核心工藝實(shí)驗(yàn)研究、工藝參數(shù)優(yōu)化及器件樣品研制，針對(duì)氮化鎵功率器件特點(diǎn)，開展器件仿真研究，揭示器件特性與結(jié)構(gòu)的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，開展氮化鎵功率器件的柵結(jié)構(gòu)及柵金屬、歐姆接觸、鈍化層等核心工藝研究。 與傳統(tǒng)硅材料相比，基于GaN材料制備的功率器件擁有更高的功率輸出密度和更高的能量轉(zhuǎn)換效率，并可以使系統(tǒng)小型化、輕量化，有效降低電力電子零部件體積和重量。當(dāng)前，氮化鎵（GaN）應(yīng)用市場(chǎng)逐步擴(kuò)展，正向數(shù)據(jù)中心、可再生能源以及新能源汽車市場(chǎng)持續(xù)推進(jìn)，未來前景廣闊。 據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢研究指出，到2026年，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)至13.3億美金，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。 集邦咨詢預(yù)計(jì)，至2025年左右，GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中，再遠(yuǎn)到2030年，OEM或考慮將該技術(shù)引入牽引逆變器。 碳化硅：X-Fab和Soitec將在美國(guó)得州展開合作 近日，Soitec宣布，將與純晶圓代工廠X-Fab開始合作，在X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠提供Soitec的SmartSiC技術(shù)用于生產(chǎn)碳化硅功率器件。 此次合作是在評(píng)估階段成功完成之后進(jìn)行的，在此期間，X-Fab Texas在6英寸SmartSiC晶圓上制造了碳化硅(SiC)功率器件。Soitec將通過聯(lián)合供應(yīng)鏈寄售模式為X-Fab的客戶提供SmartSiC襯底的使用權(quán)。 據(jù)悉，Soitec正在其位于法國(guó)格勒諾布爾附近貝爾南的新工廠加大Smart SiC襯底的產(chǎn)量。而X-Fab正在拉伯克工廠提高SiC器件的生產(chǎn)能力。 碳化硅 (SiC) 是一種化合物半導(dǎo)體材料，具有固有特性，在功率應(yīng)用中比硅具有卓越的性能和效率。隨著新能源汽車、光儲(chǔ)充等市場(chǎng)需求推動(dòng)，SiC功率器件用量持續(xù)走高。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，2023年全球SiC Power Device市場(chǎng)規(guī)模約30.4億美元，至2028年有望上升至91.7億美元，CAGR達(dá)25%。 半導(dǎo)體材料：南京大學(xué)x江蘇富樂德半導(dǎo)體 據(jù)東臺(tái)高新區(qū)消息，5月26日，“南京大學(xué)—江蘇富樂德半導(dǎo)體洗凈校企聯(lián)合研究中心”揭牌儀式在富樂德石英東臺(tái)工廠舉行。 該中心由江蘇富樂德石英科技有限公司和南京大學(xué)合作共建，雙方將圍繞“半導(dǎo)體非金屬零部件洗凈”領(lǐng)域，基于研究團(tuán)隊(duì)在化學(xué)、材料等技術(shù)方向的研發(fā)積累，重點(diǎn)聚焦于半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、光刻機(jī)相關(guān)產(chǎn)業(yè)方向展開深入研究，致力于關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)、科技成果轉(zhuǎn)化、高端人才匯聚、智慧應(yīng)用方案落地。 資料顯示，江蘇富樂德石英科技有限公司于2018年落戶東臺(tái)高新區(qū)，主要從事磁性流體、熱電半導(dǎo)體致冷材料與器件、精密石英等產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、大規(guī)模集成電路、汽車、航空航天、醫(yī)療器械等行業(yè)。 據(jù)官網(wǎng)信息，F(xiàn)errotec（中國(guó)）從事半導(dǎo)體硅片、熱電半導(dǎo)體致冷材料與器件、半導(dǎo)體石英制品、精密陶瓷制品、半導(dǎo)體真空傳動(dòng)裝置及大型腔體、電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)、精密洗凈、覆銅陶瓷基板（DCB、AMB、DPC）、半導(dǎo)體裝備、單晶爐等產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售，產(chǎn)品涉及電子、半導(dǎo)體、機(jī)械加工、太陽(yáng)能發(fā)電、汽車/新能源汽車、家用電器和醫(yī)療器械等眾多領(lǐng)域。 其中，關(guān)于洗凈再生技術(shù)，F(xiàn)errotec（中國(guó)）官網(wǎng)指出，該技術(shù)是通過化學(xué)和物理的方法把精密parts上的膜質(zhì)或其它粒子清除掉，再運(yùn)用物理與化學(xué)拋光、噴砂、熱噴涂和電鍍表面處理的方法再生處理parts表面，使其達(dá)到循環(huán)再使用的功能。Ferrotec（中國(guó)）重點(diǎn)洗凈項(xiàng)目包括半導(dǎo)體12nm清洗，該公司主要致力研發(fā)半導(dǎo)體12nm logic的清洗工藝，并保證工藝穩(wěn)定性，以達(dá)到量產(chǎn)目的。 芯片設(shè)計(jì)：芯鼎科技x日本AI方案商 近日，神盾集團(tuán)旗下IC設(shè)計(jì)廠商芯鼎科技宣布，與日本領(lǐng)先的AI方案商達(dá)成設(shè)計(jì)委托合作，將委托芯鼎科技采用ISP Solution SoC系統(tǒng)芯片方案平臺(tái)來為其開發(fā)最新一代的視覺圖像處理系統(tǒng)芯片SoC。 芯鼎科技表示，此次合作代表著公司正式進(jìn)入ISP的ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)領(lǐng)域，增加未來營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)動(dòng)能。 此設(shè)計(jì)委托案將結(jié)合策略伙伴先進(jìn)的立體視覺及AI引擎與芯鼎科技的圖像處理系統(tǒng)芯片平臺(tái)，包括ThetaEye AI圖像信號(hào)處理(AI-ISP)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，及所有AI影像處理壓縮與通訊傳輸儲(chǔ)存顯示等系統(tǒng)運(yùn)作功能模塊。 資料顯示，芯鼎科技股份有限公司成立于2009年，從事數(shù)位相機(jī)圖像圖像及視訊處理芯片設(shè)計(jì)開發(fā)及銷售，應(yīng)用在數(shù)位相機(jī)、運(yùn)動(dòng)相機(jī)、行車記錄儀與居家監(jiān)控相機(jī)領(lǐng)域。 目前，芯鼎科技已與多個(gè)客戶進(jìn)行客制化系統(tǒng)芯片方案平臺(tái)設(shè)計(jì)服務(wù)的討論，開拓ThetaEye AI芯片設(shè)計(jì)服務(wù)業(yè)務(wù)的發(fā)展。 |
