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根據(jù)DIGITIMES Research的觀察，目前市面上的主流應(yīng)用處理器多采用40、45nm工藝，而由于晶圓代工廠先進(jìn)工藝量產(chǎn)時(shí)程不斷延后，應(yīng)用處理器廠商只得順著代工廠的腳步調(diào)整產(chǎn)品推出時(shí)程。目前來(lái)看，32nm產(chǎn)品在成熟度以及良率方面較28nm高，從而影響部份應(yīng)用處理器廠商的產(chǎn)品推出計(jì)劃，預(yù)計(jì)2012年下半年后才有機(jī)會(huì)導(dǎo)入28nm。 DIGITIMES Research分析師林宗輝觀察分析，由臺(tái)積電主導(dǎo)的28nm代工版圖，雖仍屬業(yè)界最快，但進(jìn)展并不算非常順利，截至目前為止，28nm且基于HKMG(High-K Metal Gate)的工藝成熟度仍相當(dāng)?shù)停俜筋A(yù)估良率不及5%，配合產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)程，大多都要到2012下半年才有機(jī)會(huì)導(dǎo)入。 因此，在CES 2012上，多數(shù)應(yīng)用處理器供應(yīng)商只能展出現(xiàn)有的主力產(chǎn)品，無(wú)法在先進(jìn)工藝方面搶得先機(jī)。而雖然高通搶先導(dǎo)入28nm，但為了確保良率可接受，因此改采其無(wú)HKMG，與前代40nm同樣的SION工藝。 但在32nm方面，IBM晶圓代工陣營(yíng)中，包括Global Foundries及三星都已經(jīng)擁有相當(dāng)?shù)某墒於龋悸室h(yuǎn)高出目前的28nm工藝，臺(tái)積電為搶時(shí)程，雖推出沒(méi)有HKMG的28nm LP工藝，但其技術(shù)特性并未優(yōu)于32nm HKMG產(chǎn)品，因此乏人問(wèn)津。加上三星在周邊IP搭配的豐富性遠(yuǎn)高于臺(tái)積電，這也導(dǎo)致蘋(píng)果最終未選擇臺(tái)積電作為代工伙伴，而是由三星取得訂單的結(jié)果。 28nm HKMG工藝成熟度不佳，讓32nm工藝在2012年有機(jī)會(huì)崛起，當(dāng)然，仍有如高通(Qualcomm)采用非HKMG的28nm LP工藝產(chǎn)品，搶得了市場(chǎng)先機(jī)，無(wú)HKMG的28nm LP工藝相較起40nm工藝，雖功耗改進(jìn)幅度有限，但高通藉由設(shè)計(jì)上的優(yōu)勢(shì)略微彌補(bǔ)了不采用HKMG的缺點(diǎn)，這是其他采用Hard IP授權(quán)的應(yīng)用處理器廠商所無(wú)法達(dá)到的成果。 因此林宗輝也預(yù)估，高通可望在2012上半年成功拓展其包含智能手機(jī)以及平板市場(chǎng)的市占率。但由于其在性能與功耗方面采折衷設(shè)計(jì)，隨著對(duì)手陣營(yíng)性能較高的標(biāo)準(zhǔn)Cortex-A15核心產(chǎn)品逐漸齊備，高通Krait核心及其延伸所帶來(lái)的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)于2012下半年便可能被對(duì)手超越。 林宗輝認(rèn)為，目前28nm工藝緩不濟(jì)急，給了32nm工藝相當(dāng)大的發(fā)揮空間，但為何廠商不一窩蜂投產(chǎn)32nm產(chǎn)品？主要是三星產(chǎn)能需要供應(yīng)蘋(píng)果，自家應(yīng)用處理器需求也不低，Global Foundries為滿足AMD的供貨需求，也同樣面臨產(chǎn)能不足的問(wèn)題，因此僅有少數(shù)廠商可獲得32nm帶來(lái)的好處。另外，臺(tái)積電也曾嘗試投入32nm工藝代產(chǎn)業(yè)務(wù)，但主流32nm HKMG代工廠皆采用Gate-first方式，若要從其競(jìng)爭(zhēng)者搶得訂單，采用臺(tái)積電目前的Gate-last工藝將毫無(wú)意義，但臺(tái)積電未能突破Gate-first所帶來(lái)的生產(chǎn)瓶頸，因此最終以失敗告終。 另外，大部份應(yīng)用處理器廠商本身產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)程腳步不像蘋(píng)果或三星那么快，以最先進(jìn)的Cortex-A15來(lái)說(shuō)，多數(shù)廠商都需要到2012下半年才會(huì)導(dǎo)入，且產(chǎn)品規(guī)畫(huà)中的工藝決定后若需變更將動(dòng)輒得咎，最壞狀況恐會(huì)影響上市時(shí)程，可能對(duì)營(yíng)收產(chǎn)生負(fù)面影響。 一般轉(zhuǎn)換工藝需要約半年以上的轉(zhuǎn)換測(cè)試時(shí)程。蘋(píng)果采用32nm工藝制造其下一代應(yīng)用處理器，便是有把握其技術(shù)與性能優(yōu)勢(shì)能夠維持至少1年以上，無(wú)須急于轉(zhuǎn)換工藝，臺(tái)積電需在此空檔補(bǔ)齊周邊IP，強(qiáng)化整體設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，那么2012下半年至2013年上半年仍大有可為。 |
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SanDisk宣布已投產(chǎn)19nm NAND閃存 SanDisk(閃迪)宣布，已于去年底開(kāi)始投產(chǎn)19nm新工藝的NAND閃存芯片，并對(duì)此工藝所能帶來(lái)的更好性能、更低成本寄予厚望。SanDisk CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)務(wù)會(huì)議期間對(duì)分析人士表示：“我們?cè)?2011年)第四季度開(kāi)始了19nm技術(shù)(NAND閃存芯片)的生產(chǎn)，將在2012年全面量產(chǎn)。” 他同時(shí)也強(qiáng)調(diào)了新工藝面臨的難題，那就是技術(shù)難度日漸提高，對(duì)節(jié)約成本的貢獻(xiàn)卻沒(méi)那么大了：“正如我們之前解釋過(guò)的，NAND閃存工藝越來(lái)越復(fù)雜，技術(shù)轉(zhuǎn)換所帶來(lái)的成本節(jié)省幅度也越來(lái)越小。19nm所能產(chǎn)生的成本降低幅度就會(huì)低于24nm。” 據(jù)披露，SanDisk正在使用19nm工藝制造2bpc MLC NAND、3bpc TLC NAND閃存芯片。具體良品率未公開(kāi)，只是說(shuō)正在按預(yù)期增加SanDisk的容量產(chǎn)能。 Sanjay Mehrotra也承認(rèn)，TLC NAND閃存目前并不適合商業(yè)關(guān)鍵企業(yè)應(yīng)用，而是更適用于消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)。這也和OCZ的看法不謀而合。 他說(shuō)：“我們會(huì)尋求將3bpc用在消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)上的機(jī)會(huì)。企業(yè)固態(tài)硬盤(pán)上，我認(rèn)為仍將完全是2bpc的天下，畢竟企業(yè)應(yīng)用都需要高性能、高可靠性。” SanDisk 2011年第四季度收入15.77億美元(按照GAAP)，毛利潤(rùn)6.62億美元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)4.16億美元，同比分別增長(zhǎng)18.8％、14.9％、 16.5％；全年收入56.62億美元，毛利潤(rùn)24.39億美元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)15.30億美元，分別同比增長(zhǎng)17.3％、7.8％、4.7％。 |
