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來源：EXPreview 目前全球每天產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量是非常龐大的，通過HDD和SSD存儲在大容量的服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心里，不過SSD在讀/寫速度、能耗和設(shè)備尺寸上都優(yōu)于HDD，使得SSD正逐步取代HDD。SSD單位成本的擴展，其中一個原因歸功于在存儲單元上堆疊更多的層數(shù)。 
據(jù)Xtech Nikkei報道，鎧俠首席技術(shù)官Hidefumi Miyajima在東京城市大學舉行的第71屆應用物理學會春季會議上表示，計劃到2031年開始批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND閃存芯片。 增加3D NAND器件中有源層的數(shù)量是目前提高閃存記錄密度的最佳方法，因此所有3D NAND閃存制造商每1.5至2年就通過新的制程工藝節(jié)點來實現(xiàn)這一目標。不過每個新的制程工藝節(jié)點都會有一些挑戰(zhàn)，由于3D NAND閃存需要在存儲單元上堆疊更多層數(shù)，那么也要在橫向和縱向上縮小存儲單元，其中會采用新的材料，對于廠商研發(fā)上會有一定的難度。 目前鎧俠最好的是去年推出的第8代BiCS 3D NAND閃存，為218層。為此鎧俠和西部數(shù)據(jù)還開發(fā)了CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術(shù)，將每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓都是在其最優(yōu)狀態(tài)下單獨制造的，然后粘合在一起，以提供增強的位密度和快速的NAND I/O接口速度。通過創(chuàng)新的橫向收縮技術(shù)，將位密度提高了50%以上，NAND I/O接口速度超過了3.2Gb/s，比上一代產(chǎn)品提高了60%。 鎧俠應該會沿用目前的工藝技術(shù)路線，開發(fā)1000層的3D NAND閃存芯片。 |
