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SI4559EY-T1-E3-VB一款N+P溝道SOP8封裝MOSFET應用分析

發布時間：2024-1-10 15:43 發布者：VBsemi

關鍵詞： SI4559EY-T1-E3 , VBsemi , mosfet

SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)參數說明：N+P溝道，±60V，正向電流6.5A，反向電流5A，導通電阻28mΩ@10V，34mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，正負閾值電壓分別為±1.9V，封裝：SOP8。

應用簡介：SI4559EY-T1-E3是一款雙溝道MOSFET，適用于高電壓和高電流應用，如電源開關、電機驅動、逆變器等領域模塊。

SI4559EY-T1-E3.pdf

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SI4559EY-T1-E3

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