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Si2342DS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

發(fā)布時(shí)間：2024-1-10 15:05    發(fā)布者：VBsemi
關(guān)鍵詞： Si2342DS-T1-GE3
Si2342DS-T1-GE3 (VB1240)參數(shù)說(shuō)明：N溝道，20V，6A，導(dǎo)通電阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，門源電壓范圍8V(±V)，可調(diào)閾值電壓范圍0.45~1V，封裝：SOT23。

應(yīng)用簡(jiǎn)介：Si2342DS-T1-GE3是一款用于中低電壓應(yīng)用的N溝道MOSFET，適用于電源開(kāi)關(guān)、LED驅(qū)動(dòng)和電池管理等領(lǐng)域模塊。


Si2342DS-T1-GE3.pdf

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Si2342DS-T1-GE3
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