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來源：芯智訊 據(jù)臺媒DigiTimes報道，近日有著“浸潤式光刻之父”之稱的林本堅（Burn Lin）在接受采訪時表示，依靠DUV光刻機繼續(xù)將制程工藝從7nm推向5nm是可能，但是需要付出高昂的代價。 
報道稱，由于美日荷對華半導(dǎo)體設(shè)備的限制，使得中國不僅難以獲得可以制造先進制程的半導(dǎo)體設(shè)備，同時更為先進的EUV光刻機也無法獲得。這也使得中國繼續(xù)將制裁工藝推進到5nm將會面臨困境。 不過，林本堅表示，依托現(xiàn)有的DUV光刻機（浸沒式）制造出5nm芯片依然是可行的，但是至少需要進行四重曝光。不幸的是，這種工藝的缺點是不僅耗時，而且價格昂貴，還會影響整體良率。 特別是在使用 DUV 機器時，在多次曝光期間需要精確對準，這可能需要時間，并且有可能發(fā)生未對準的情況，從而導(dǎo)致產(chǎn)量降低和制造這些晶圓的時間大幅增加。 林本堅表示，浸沒式DUV光刻技術(shù)最高可以實現(xiàn)六重光刻模式，可以實現(xiàn)更先進的工藝，但問題同樣來自上述相關(guān)缺點。 |
