一、資料輸入階段
1、在流程上接收到的資料是否齊全(包括:原理圖、*.brd文件、料單、PCB設計說明以及PCB設計或更改要求、標準化要求說明、工藝設計說明文件)。
2、確認PCB模板是最新的。
3、確認模板的定位器件位置無誤。
4、PCB設計說明以及PCB設計或更改要求、標準化要求說明是否明確。
5、確認外形圖上的禁止布放器件和布線區已在PCB模板上體現。
6、比較外形圖,確認PCB所標注尺寸及公差無誤, 金屬化孔和非金屬化孔定義準確。
7、確認PCB模板準確無誤后最好鎖定該結構文件,以免誤操作被移動位置。
二、布局后檢查階段
a:器件檢查
8、確認所有器件封裝是否與公司統一庫一致,是否已更新封裝庫(用viewlog檢查運行結果)如果不一致,一定要Update Symbols。
9、母板與子板,單板與背板,確認信號對應,位置對應,連接器方向及絲印標識正確,且子板有防誤插措施,子板與母板上的器件不應產生干涉。
10、元器件是否100% 放置。
11、打開器件TOP和BOTTOM層的place-bound, 查看重疊引起的DRC是否允許。
12、Mark點是否足夠且必要。
13、較重的元器件,應該布放在靠近PCB支撐點或支撐邊的地方,以減少PCB的翹曲。
14、與結構相關的器件布好局后最好鎖住,防止誤操作移動位置。
15、壓接插座周圍5mm范圍內,正面不允許有高度超過壓接插座高度的元件,背面不允許有元件或焊點。
16、確認器件布局是否滿足工藝性要求(重點關注BGA、PLCC、貼片插座)。
17、金屬殼體的元器件,特別注意不要與其它元器件相碰,要留有足夠的空間位置。
18、接口相關的器件盡量靠近接口放置,背板總線驅動器盡量靠近背板連接器放置。
19、波峰焊面的CHIP器件是否已經轉換成波峰焊封裝。
20、手工焊點是否超過50個。
21、在PCB上軸向插裝較高的元件,應該考慮臥式安裝。留出臥放空間。并且考慮固定方式,如晶振的固定焊盤。
22、需要使用散熱片的器件,確認與其它器件有足夠間距,并且注意散熱片范圍內主要器件的高度。
b:功能檢查
23、數模混合板的數字電路和模擬電路器件布局時是否已經分開,信號流是否合理。
24、A/D轉換器跨模數分區放置。
25、時鐘器件布局是否合理。
26、高速信號器件布局是否合理。
27、端接器件是否已合理放置(源端匹配串阻應放在信號的驅動端;中間匹配的串阻放在中間位置;終端匹配串阻應放在信號的接收端)。
29、信號線以不同電平的平面作為參考平面,當跨越平面分割區域時,參考平面間的連接電容是否靠近信號的走線區域。
30、保護電路的布局是否合理,是否利于分割。
31、單板電源的保險絲是否放置在連接器附近,且前面沒有任何電路元件。
32、確認強信號與弱信號(功率相差30dB)電路分開布設。
33、是否按照設計指南或參考成功經驗放置可能影響EMC實驗的器件。如:面板的復位電路要稍靠近復位按鈕。
c:發熱
34、對熱敏感的元件(含液態介質電容、晶振)盡量遠離大功率的元器件、散熱器等熱源。
35、布局是否滿足熱設計要求,散熱通道(根據工藝設計文件來執行)。
d:電源
36、是否IC電源距離IC過遠。
38、模塊電源等周圍電路布局是否合理。
39、電源的整體布局是否合理。
e:規則設置
40、是否所有仿真約束都已經正確加到Constraint Manager中。
41、是否正確設置物理和電氣規則(注意電源網絡和地網絡的約束設置)。
42、Test Via、Test Pin的間距設置是否足夠。
43、疊層的厚度和方案是否滿足設計和加工要求。
44、所有有特性阻抗要求的差分線阻抗是否已經經過計算,并用規則控制。
三、布線后檢查階段
a、數模
45、數字電路和模擬電路的走線是否已分開,信號流是否合理
46、A/D、D/A以及類似的電路如果分割了地,那么電路之間的信號線是否從兩地之間的橋接點上走(差分線例外)?
47、必須跨越分割電源之間間隙的信號線應參考完整的地平面。
48、如果采用地層設計分區不分割方式,要確保數字信號和模擬信號分區布線。
b:時鐘和高速部分
49、高速信號線的阻抗各層是否保持一致。
50、高速差分信號線和類似信號線,是否等長、對稱、就近平行地走線?
51、確認時鐘線盡量走在內層。
52、確認時鐘線、高速線、復位線及其它強輻射或敏感線路是否已盡量按3W原則布線。
53、時鐘、中斷、復位信號、百兆/千兆以太網、高速信號上是否沒有分叉的測試點?
54、LVDS等低電平信號與TTL/ CMOS信號之間是否盡量滿足了10H(H為信號線距參考平面的高度)?
55、時鐘線以及高速信號線是否避免穿越密集通孔過孔區域或器件引腳間走線?
56、時鐘線是否已滿足(SI約束)要求(時鐘信號走線是否做到少打過孔、走線短、參考平面連續,主要參考平面盡量是GND;若換層時變換了GND主參考平面層,在離過孔200mil范圍之內是GND過孔) 若換層時變換不同電平的主參考平面,在離過孔200mil范圍之內是否有去耦電容)?
57、差分對、高速信號線、各類BUS是否已滿足(SI約束)要求。
c:EMC與可靠性
58、對于晶振,是否在其下布一層地?是否避免了信號線從器件管腳間穿越?對高速敏感器件,是否避免了信號線從器件管腳間穿越?
59、單板信號走線上不能有銳角和直角(一般成 135 度角連續轉彎, 射頻信號線最好采用圓弧形或經過計算以后的切角銅箔)。
60、對于雙面板,檢查高速信號線是否與其回流地線緊挨在一起布線;對于多層板,檢查高速信號線是否盡量緊靠地平面走線。
61、對于相鄰的兩層信號走線,盡量垂直走線。
63、盡量避免高速信號在同一層上的長距離平行走線。
64、板邊緣還有數字地、模擬地、保護地的分割邊緣是否有加屏蔽過孔?多個地平面是否用過孔相連?過孔距離是否小于最高頻率信號波長的1/20?
65、浪涌抑制器件對應的信號走線是否在表層短且粗?
66、確認電源、地層無孤島、無過大開槽、無由于通孔隔離盤過大或密集過孔所造成的較長的地平面裂縫、無細長條和通道狹窄現象。
67、是否在信號線跨層比較多的地方,放置了地過孔(至少需要兩個地平面)。
d、電源和地
68、如果電源/地平面有分割,盡量避免分割開的參考平面上有高速信號的跨越。
69、確認電源、地能承載足夠的 電流。過孔數量是否滿足承載要求,(估算方法:外層銅厚1oz時1A/mm線寬,內層0.5A/mm線寬,短線電流加倍)。
70、對于有特殊要求的電源,是否滿足了壓降的要求。
71、為降低平面的邊緣輻射效應,在電源層與地層間要盡量滿足20H原則。(條件允許的話,電源層的縮進得越多越好)。
72、如果存在地分割,分割的地是否不構成環路?
73、相鄰層不同的電源平面是否避免了交疊放置?
74、保護地、-48V地及GND的隔離是否大于2mm?
75、-48V地是否只是-48V的信號回流,沒有匯接到其它地?如果做不到請在備注欄說明原因。
76、靠近帶連接器面板處是否布10~20mm的保護地,并用雙排交錯孔將各層相連?
77、電源線與其它信號線間距是否距離滿足安規要求?
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