IRFR120NTRPBF-VB_MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析

VBsemi

IRFR120NTRPBF（ VBE1101M）
參數(shù)描述：
N溝道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)；TO252
型號參數(shù)介紹：
IRFR120NTRPBF (VBE1101M)參數(shù)說明：N溝道，100V，18A，導(dǎo)通電阻115mΩ@10V，121mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1.6V，封裝：TO252。
應(yīng)用簡介：IRFR120NTRPBF適用于高功率N溝道MOSFET，常見于電源開關(guān)、電機控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。
其中較大的電流承載能力使其在大電流需求場景中表現(xiàn)出色。
優(yōu)勢與適用領(lǐng)域：適用于高功率應(yīng)用，如電源開關(guān)、電機控制和逆變器等模塊。
較大的電流承載能力滿足大電流需求。