DMG1012T-VB_SC75-3封裝MOSFET產(chǎn)品應(yīng)用與參數(shù)解析

VBsemi

DMG1012T（ VBTA1220N）
參數(shù)描述：
N溝道,20V,1A,RDS(ON),200mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；0.6Vth(V)；SC75-3
型號參數(shù)介紹：
DMG1012T (VBTA1220N)參數(shù)說明：N溝道，20V，1A，導(dǎo)通電阻200mΩ@4.5V，230mΩ@2.5V，12Vgs(±V)，閾值電壓0.6V，封裝：SC75-3。
應(yīng)用簡介：DMG1012T適用于低功率應(yīng)用，如信號開關(guān)和電流控制。
其低導(dǎo)通電阻和小封裝有助于降低功率損耗和節(jié)省空間。
適用領(lǐng)域與模塊：適用于低功率信號開關(guān)、電流控制和模擬開關(guān)等領(lǐng)域模塊，特別適合要求節(jié)省空間的場景。