為了全面推動濟南市科技創新和產業轉型升級,加快建設“強新優富美高”新時代社會主義現代化強省會提供堅實的人才支撐,由中共濟南市委、濟南市人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟聯合主辦的“第六屆中國(濟南)新動能創新創業大賽先進電子新材料與應用領域特色賽道”自啟動以來,就受到產業內創業人才和項目的高度關注,經過組委會專家組的層層篩選,目前大賽決賽的19個入圍名單已經出爐,并將于11月10日在濟南東悅國際酒店進行最終的比拼,評選出本次活動的一、二、三等獎。 同時,為了積極為先進電子新材料與應用領域創業者搭建一個可以充分展示交流、投融資對接、創業創新政策推介的平臺,在本次大賽開幕式上,組委會還將邀請多名產業專家以及龍頭企業相關負責人做產業發展的主旨報告,為參加活動的創業項目和人才進行產業市場的干貨分享。 1.腦控機械手在腦中風中的應用:專注于腦機接口領域,以腦電感知控制技術為核心技術的公司,基于這項技術,我們落地的一些智能硬件和穿戴硬件,通過大量的推廣智能硬件,我們不斷的采集用戶的數據,后臺不斷的運營個人的生活空間。我們打造一個開放的腦電應用平臺,運用這個腦電平臺來輔能其他的行業。腦控機械手:以腦控機械手解決腦中風患者的生活各種任務,方法是用新穎的傳感和機器學習技術,通過無創神經成像和一種新的連續追蹤范式,克服了嘈雜的腦電圖信號,顯著改善基于腦電圖的神經解碼,從而實現實時連續的機器人設備控制。 3.半導體拋光材料:碳化硅,氮化鎵等半導體材料晶圓的制備加工工序中,對晶圓材料的平坦化,高精度,表面粗糙度進行拋光加工的拋光材料。 5.新一代車規級功率半導體研發和產業化:本項目是由來自ADI、聯合電子、DENSO、臺積電、世界先進、強茂等世界級的功率半導體專家聯合創辦,目標是打造世界級的車規級功率半導體IDM供應商。業務覆蓋Si/SiC/GaN基的模塊、芯片、新材料和晶圓設計和制造。目前已經完成世界級的IGBT和SiC模塊和器件,SiC-SBD器件和RC-IGBT芯片設計。其中兩款高功率IGBT產品性能全面超越國際一流水平,已經進入小批量驗證階段,并由多款適配國內外車型的SiC和IGBT產品定制化研發中。項目預期2026年實現年產值50億元。 7.超寬禁帶半導體氧化鎵材料及其功率器件:計劃進入高溫、高功率電子領域,提供創新的解決方案。我們的產品和服務將基于氧化鎵材料的優越特性,并應用于能源轉換、電力電子和智能電力系統等領域。我們致力于實現產品的商業化,并在市場中取得競爭優勢。 9.基于MPCVD技術的金剛石晶體材料制備:本項目自主研制“微波等離子體化學氣相沉積設備(MPCVD)”,用其制備高品質人造金剛石晶體材料,包括大尺寸金剛石單晶和金剛石多晶薄膜。主要作為半導體材料、光學窗口材料、熱沉材料、鉆石毛坯等材料,應用于半導體、量子計算、軍工航天、大科學裝置、精密加工、鉆石首飾等領域。該項目致力于突破國外在大功率MPCVD設備方面的技術封鎖,解決功能性金剛石領域的“卡脖子”問題。本項目將不斷升級完善大功率MPCVD設備,在功能性金剛石材料的制備和應用領域進行不斷地研發和探索,保持技術優勢,把握市場,提前布局金剛石超寬禁帶半導體材料,將本項目打造成為國際知名的功能性金剛石材料生產商。 11.SERDES IP與CXL芯片項目:項目創始團隊成員包括三星AMD實驗室頂尖芯片架構專家、IEEE預備院士、前Intel首席科學家等,平均從業時間20年以上。團隊目前已有自主IP20余項、在申報發明專利2項、預備申報發明專利10余項;團隊具備先進制程經驗(3nm GAA~110nm),先進SERDES IP設計經驗、數十顆芯片從設計至流片經驗。已攻克國內首個驗證可用的RAID方案、國內首個CXL IP合作案例、國內首顆自主紅外ISP芯片案例、國內首顆自主USB3.2HUB芯片案例等,是國內唯三可進行SERDES IP定制化的企業。截止目前,公司營業收入數百萬元,已達成合同超2000萬元,正在進行天使輪融資及項目落地工作。 微型半導體制冷片Micro -TEC的廠家,主要為國外廠家,如杭州大和、日本小松、美國Phononic公司、俄羅斯RMT公司等等,占據中國75%以上的市場份額,且限制對中國企業銷售核心的熱電材料,國內沒有可以與之競爭的廠家。 ·基于PXGPU,實現了全球獨創的解決方案AOD-DDIC芯片及全新的低功耗AOD交互模式,延長手機低電量時的續航時間。 適用于所有手機平臺,市場規模巨大。" 15.全國產化射頻通信芯片研發及產業化:受國外芯片卡脖子限制,我國急需高端芯片填補空白,國外技術封鎖以及光刻機的斷供使得高性能電子通訊芯片突破十分困難,因此對于高性能光電融合通訊芯芯片來取代甚至超越純電子芯片就顯得十分重要。我們團隊全自主設計生產的高性能光電融合通訊芯片,具有光電集成、高速通訊、多波段切換,并單個芯片集成,可實現高性能通訊。光電融合通訊芯片可產生相位噪聲極低的高頻微波信號,在軍民領域均具有重要的應用,市場規模巨大,可成為第四次工業革命的把關者。 17.高可靠高性能自主可控電源管理芯片V9.0:專注宇航及軍工領域高可靠高性能自主可控電源管理芯片,致力于為航天、軍工、工業等領域客戶提供自主可控模擬芯片。核心團隊由北京大學、中科院、電子科大等優秀校友組成,深耕高可靠集成電路領域近二十年,在研發、產業化及產業鏈有深厚經驗,曾獲得國賽金獎、多項人才計劃A類等榮譽,多款產品在我軍裝備上得到大批量產業化應用,目前20款可批量化供貨,10款在研,2022年通過7至9款宇航級產品滿足85%以上衛星及飛行器電源管理需求,并成為航天五院、電科集團、國網智芯等一級或合格供方。2022年團隊同步依托現有技術、產品及企業優勢,拓展工業控制、汽車電子等物聯網、新基建需求萬億級市場 19.氮化物外延片/芯片供應商:作為北京大學科技成果轉化、解決我國第三代半導體核心材料及器件技術問題的重點項目,致力于為國家和北京市第三代半導體產業發展做貢獻的示范企業。一期投資1.35億元,開發和生產氮化鎵基功率電子器件用大尺寸外延片(應用于移動通訊基站、大數據中心電源、消費類電子等領域)和高性能AlGaN基UVC-LED外延片和芯片產品(應用于消毒殺菌、水和空氣凈化、印刷、農業及醫療等領域)。中博芯多個產品性能指標達到國內領先、國際先進的水平,部分產品性能指標達到國際領先水平;產品已銷售至海外。預期滿產后主營業務收入2億元/年,利潤5000萬元/年。 此外,本屆大賽過程中特別強化交流互鑒,大賽瞄準了我國戰略性新興產業——先進電子新材料與應用領域,根據濟南當地的產業生態為參賽者搭建創新創業平臺,并邀請各地的優秀創業者參加,讓優秀的項目和人才聚焦濟南,并充分宣傳濟南在科技創新領域的人才政策和創新創業環境,讓科技人才在交流中增進對濟南產業生態的理解,促進政、企、金、研、學等多方面的交流互鑒,相互啟迪,激發創新火花。 |