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來源：大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 據(jù)東科半導(dǎo)體官微消息，日前，東科半導(dǎo)體與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。 據(jù)悉，北大-東科第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心將瞄準(zhǔn)國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以第三代半導(dǎo)體氮化鎵關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用研發(fā)為核心使命，重點突破材料、器件、工藝技術(shù)瓶頸，增強(qiáng)東科半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體技術(shù)上的創(chuàng)新能力和市場主導(dǎo)力。 資料顯示，東科半導(dǎo)體作為國內(nèi)最先研發(fā)布局氮化鎵芯片研究的企業(yè)，國內(nèi)首創(chuàng)合封氮化鎵電源管理芯片，其產(chǎn)品性能指標(biāo)等同或部分超出國外同類產(chǎn)品，并以高性能、高可靠性和低功耗等特性被市場廣泛認(rèn)可，實現(xiàn)國產(chǎn)替代。 東科半導(dǎo)體表示，氮化鎵芯片將在繼續(xù)深耕快充等消費(fèi)電子細(xì)分領(lǐng)域市場的同時，進(jìn)一步拓展進(jìn)入通信、工業(yè)電源、光伏、新能源等眾多產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，為推進(jìn)芯片國產(chǎn)化進(jìn)程不斷前行。 |
