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隨著智能手機等應用的功能增加和性能提升，業界對于支持更高安裝密度的小型元器件的需求日益高漲。硅電容器采用薄膜半導體技術，與多層陶瓷電容器(MLCC)相比，具有厚度更薄且電容量更大的特點。由于其穩定的溫度特性和出色的可靠性，這種產品的應用越來越廣泛。ROHM預測硅電容器的市場規模將在2030年增長至3000億日元※，約達到2022年規模的1.5倍，因此采用自有的半導體工藝開發出小型且高性能的硅電容器。 ROHM的硅電容器采用能以1μm為單位進行加工的自有微細化技術RASMID™* 1，消除了外觀成型過程中的缺陷，并實現了±10μm以內的高精度尺寸公差。由于產品尺寸波動很小，因此能夠支持更窄的安裝間距;另外通過將連接電路板的背面電極擴大至封裝的邊緣部位，還提高了安裝強度。 第一波產品“BTD1RVFL系列”的尺寸僅為0402(0.4mm×0.2mm)，是業界超小尺寸的表面貼裝型量產硅電容器。與0603尺寸的普通產品相比，其安裝面積減小約55%，僅為0.08mm2，非常有助于應用產品的小型化。另外，新產品還內置TVS保護器件，可確保出色的ESD* 2耐受能力，減少浪涌對策等電路設計工時。 “BTD1RVFL 系 列 ” 包 括電容量為 1000pF 的 “BTD1RVFL102” 和電容量為 470pF 的 “BTD1RVFL471”，已從2023年8月開始以月產50萬個的規模投入量產。前道工序的生產基地為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠)，后道工序的生產基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)。 ROHM計劃于2024年面向高速和大容量通信設備等領域開發高頻特性優異的第二波系列產品。另外， ROHM還將致力于開發適用于服務器等工業設備領域的產品，以進一步擴大應用范圍。 <產品陣容> <應用示例> <術語解說> *1) RASMID™ ROHM Advanced Smart Micro Device的簡稱。利用與傳統方法完全不同的ROHM自有新工藝方法，實現了小型化和驚人的尺寸精度(±10μm以內)的超小型產品系列。 ・RASMID™是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。 *2) ESD(Electro-Static Discharge：靜電放電)當人體與電子設備等帶電物體接觸時，會產生靜電(浪涌)。這種靜電(浪涌)會導致電路和設備發生誤動作或損壞。 文章來源：http://www.ameya360.com/hangye/110066.html |
