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據(jù)韓國媒體報道稱，三星電子計劃于2012年在中國大陸興建下一代NAND閃存芯片生產(chǎn)線。據(jù)了解，NAND閃存是主要用于智能手機(jī)、平板電腦等通信終端的存儲介質(zhì)。目前，三星已向韓國知識經(jīng)濟(jì)部提交了申請書。韓國《朝鮮日報》12月7日刊文表示，“三星冒著技術(shù)外泄的風(fēng)險在中國大陸建存儲芯片生產(chǎn)線，是為了搶占躍升為世界最大芯片市場的中國市場”。三星方面則表示，中國的芯片競爭力已“明顯下降”，沒有必要過于擔(dān)心技術(shù)外泄問題。 報道稱，中國正逐漸成為世界最大的IT產(chǎn)品生產(chǎn)基地。目前，全球96%的平板電腦和37%以上的智能手機(jī)都在中國生產(chǎn)，這些產(chǎn)品的核心零配件——存儲芯片的使用量也年年劇增。據(jù)市場調(diào)查公司Gartner的數(shù)據(jù)，今年中國的芯片使用量達(dá)到全球產(chǎn)量的30%，是世界最大的芯片消費(fèi)國。 三星電子表示，計劃在中國興建采用20納米級以下尖端制造工藝的內(nèi)存芯片生產(chǎn)線。如果中國建廠計劃獲得批準(zhǔn)，該工廠將是三星電子繼美國德克薩斯州的奧斯丁工廠之后的第二家海外芯片制造工廠。對于在中國建廠的理由，三星電子方面介紹說：“公司對當(dāng)?shù)叵M(fèi)者的需求可以做到快速反應(yīng)及高效應(yīng)對。” 不過，韓國有輿論擔(dān)憂，三星電子在中國建廠后，其確保的技術(shù)可能會泄露給中方。 《朝鮮日報》指出，芯片是國家需要保護(hù)的核心技術(shù)。2005年，海力士半導(dǎo)體為躲避美國和歐洲政府的反傾銷制裁措施，表示要在中國無錫建設(shè)高科技芯片生產(chǎn)線，而當(dāng)時反對最強(qiáng)烈的就是三星電子。 三星電子當(dāng)時反駁稱：“韓國的芯片技術(shù)可能會通過在海力士無錫工廠工作的中國工人泄露到中國。”但三星現(xiàn)在卻一改以往的立場要在中國建廠，是因為認(rèn)為技術(shù)外泄的風(fēng)險并不大。雖然海力士半導(dǎo)體工廠已在中國運(yùn)營了6年時間，但從未發(fā)生過技術(shù)外泄。這是因為，雖然芯片生產(chǎn)是在中國進(jìn)行，但所有研發(fā)工作都在韓國京畿道利川總部進(jìn)行。 三星電子方面表示：“中國的芯片競爭力明顯下降，實際上已經(jīng)放棄了芯片產(chǎn)業(yè)。因此沒有必要過于擔(dān)心技術(shù)外泄問題。”《朝鮮日報》也報道稱，“中國自2000年以后，對芯片事業(yè)投入了巨額資金，但直到目前為止還沒有一家企業(yè)盈利”。 《朝鮮日報》還分析稱，“中國目前沒有閃存芯片生產(chǎn)線，而中國又是世界NAND閃存芯片需求最多的國家。因此，中方很有可能給予三星電子各種優(yōu)惠政策”。 |
