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來源：全球半導(dǎo)體觀察 SK海力士今日宣布，通過321層4D NAND樣品的發(fā)布，正式成為業(yè)界首家正在開發(fā)300層以上NAND閃存的公司。 SK海力士于當?shù)貢r間8日，在美國加利福尼亞州圣克拉拉舉辦的“2023閃存峰會”* (Flash Memory Summit, FMS)上，公布了321層1Tb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND閃存開發(fā)的進展，并展示了現(xiàn)階段開發(fā)的樣品。 
* 閃存峰會(Flash Memory Summit, FMS): 每年定期在美國加州圣克拉拉舉辦的全球閃存芯片領(lǐng)域最高級別研討會。 * NAND閃存芯片根據(jù)每個單元(Cell)可以存儲的信息量（比特,bit）可分為SLC(Single level Cell)、MLC （Muti Level Cell）、TLC（Triple Level Cell）、QLC（Quadruple Level Cell）、PLC（Penta Level Cell）等規(guī)格。單元信息存儲容量越大，意味著單位面積可以儲存的數(shù)據(jù)越多。 作為業(yè)界首家公布300層以上NAND具體開發(fā)進展的公司，SK海力士宣布，將進一步完善321層NAND閃存，并計劃于2025年上半期開始量產(chǎn)。 “以正在量產(chǎn)的最高級238層NAND積累的技術(shù)經(jīng)驗為基礎(chǔ)，公司正在有序進行321層NAND的研發(fā)”，SK海力士相關(guān)負責(zé)人表示，“SK海力士將再次突破堆棧層數(shù), 迎接300層NAND時代，繼續(xù)引領(lǐng)市場。 321層1Tb TLC NAND的效率比上一代238層512Gb提高了59%。這是由于數(shù)據(jù)存儲的單元可以以更多的單片數(shù)量堆棧至更高，在相同芯片上實現(xiàn)更大存儲容量，進而增加了單位晶圓上芯片的產(chǎn)出數(shù)量。 近期，隨著Chat GPT引發(fā)的生成型AI市場的需求增長，存儲更多數(shù)據(jù)的高性能、高容量存儲器需求也在急劇增加。 本次活動中，SK海力士還推出了針對這些需求而進行優(yōu)化的下一代NAND產(chǎn)品解決方案：采用PCIe 5(Gen5)接口的企業(yè)級固態(tài)硬盤 (Enterprise SSD, eSSD)及UFS 4.0。 公司希望借助這些能夠達到世界級領(lǐng)先性能的產(chǎn)品，充分滿足追求高性能客戶的需求。 SK海力士還表示，公司在目前積累的產(chǎn)品技術(shù)和不斷優(yōu)化企業(yè)內(nèi)部解決方案的基礎(chǔ)上，正在積極開發(fā)下一代PCI 6.0和UFS 5.0產(chǎn)品，以致力于在未來繼續(xù)引領(lǐng)市場。 SK海力士NAND閃存開發(fā)擔(dān)當副社長崔正達在發(fā)表主題演講時表示：“我們以通過開發(fā)第五代4D NAND 321層閃存產(chǎn)品，鞏固品牌在NAND技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位”。“公司將積極推出人工智能時代所需的高性能、大容量NAND產(chǎn)品，繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)”。 |
