東芝推出采用超級結結構的600V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率

發布時間：2023-6-13 19:11 發布者：eechina

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。該器件采用超級結結構，耐壓600V，適用于數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品，于今日開始批量出貨。

通過對柵極設計和工藝進行優化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品的單位面積漏源導通電阻降低了約13%，漏源導通電阻×柵漏電荷（MOSFET性能的品質因數）降低了約52%。這有助于確保該系列產品實現導通損耗和開關損耗的雙重降低，并最終實現了開關電源效率的提高。

該新產品采用TOLL封裝，柵極驅動采用開爾文連接。可以通過降低封裝中源極線電感的影響，增強MOSFET的高速開關性能，從而抑制開關過程中的振蕩。

未來，東芝將繼續擴展600V DTMOSVI系列產品線，以及已發布的650V DTMOSVI系列產品，并通過降低開關電源的功率損耗來達到節約節能的目的。

圖1：漏極-源極導通電阻與柵漏電荷比較

 應用
- 數據中心（服務器開關電源等）
- 光伏發電機功率調節器
- 不間斷電源系統

 特性
- 低漏源導通電阻×柵漏電荷，有助于提高開關電源的效率

 主要規格

（除非另有說明，Ta＝25℃）

器件型號				TK055U60Z1
絕對最大	漏極-源極電壓VDSS（V）			600
值	漏極電流（DC）ID（A）			40
	結溫Tch（℃）			150
電氣特性	漏極-源極導通電阻	VGS＝10V	最大值	55
	RDS(ON)（mΩ）
	總柵極電荷Qg（nC）		典型值	65
	柵極-漏極電荷Qgd（nC）		典型值	15
	輸入電容Ciss（pF）		典型值	3680
封裝	名稱			TOLL
	尺寸（mm）		典型值	9.9×11.68
				厚度＝2.3
庫存查詢與購買				在線購買

注：
[1] 截至2023年6月

如需了解有關該新產品的更多信息，請訪問以下網址：
TK055U60Z1
https://toshiba-semicon-storage. ... ail.TK055U60Z1.html

如需了解東芝MOSFET產品的更多信息，請訪問以下網址：
MOSFET
https://toshiba-semicon-storage. ... roduct/mosfets.html

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TK055U60Z1
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