熱門關鍵詞：PWM NXP 射頻 SoC EMC

東芝推出具有更低導通電阻的小型化超薄封裝共漏極MOSFET，適用于快充設備

發布時間：2023-5-18 17:15 發布者：eechina

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動設備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護電路。該產品于今日開始支持批量出貨。

鋰離子電池組依靠高度穩定的保護電路來減少充放電時產生的熱量，以提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性，同時要求MOSFET小巧纖薄，且具有更低的導通電阻。

SSM14N956L采用東芝專用的微加工工藝，已經發布的SSM10N954L也采用該技術。憑借業界領先[1]的低導通電阻特性實現了低功耗，而業界領先[1]的低柵源漏電流特性又保證了低待機功耗。這些特性有助于延長電池的使用時間。此外，新產品還采用了一種新型的小巧纖薄的封裝TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）。

東芝將繼續開發用于鋰離子電池組供電設備中的保護電路的MOSFET產品。

 應用
- 家用電器采用鋰離子電池組的消費類電子產品以及辦公和個人設備，包括智能手機、平板電腦、充電寶、可穿戴設備、游戲控制器、電動牙刷、迷你數碼相機、數碼單反相機等。

 特性
- 業界領先的[1]低導通電阻：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型值）@VGS＝3.8V
- 業界領先的[1]低柵源漏電流：IGSS＝±1μA（最大值）@VGS＝±8V
- 小型化超薄TCSPED-302701封裝：2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）
- 共漏極結構，可方便地用于電池保護電路

 主要規格

（除非另有說明，Ta＝25℃）

器件型號			SSM14N956L	SSM10N954L[2]
配置			N溝道共漏極
絕對最大額定值	源極-源極電壓VSSS（V）		12
	柵極-源極電壓VGSS（V）		±8
	源極電流（DC）IS（A）		20	13.5
電氣特性	柵源漏電流IGSS	@VGS＝±8V		±1
	最大值（μA）
	源極-源極導通電阻RSS(ON)	@VGS＝4.5V	1	2.1
	典型值（mΩ）	@VGS＝3.8V	1.1	2.2
		@VGS＝3.1V	1.25	2.4
		@VGS＝2.5V	1.6	3.1
封裝	名稱		TCSPED-302701	TCSPAC-153001
	尺寸典型值（mm）		2.74×3，	1.49×2.98，
			厚度＝0.085	厚度＝0.11
庫存查詢與購買			在線購買	在線購買

[1] 截至2023年5月的東芝調查，與相同額定值的產品進行比較。
[2] 已發布產品。

如需了解有關新產品的更多信息，請訪問以下網址：
SSM14N956L
https://toshiba-semicon-storage. ... ail.SSM14N956L.html

如需了解有關新產品在線分銷商網站的供貨情況，請訪問以下網址：
SSM14N956L
https://toshiba-semicon-storage. ... eck.SSM14N956L.html

本文地址：http://m.qingdxww.cn/thread-822472-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。