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來(lái)源：Digi-Key 作者：Bill Schweber 即便在發(fā)展日新月異的科技領(lǐng)域，也有一些根深蒂固的“傳統(tǒng)智慧”和臆斷，盡管經(jīng)歷了科技迅猛進(jìn)步的洗禮，但仍舊抗拒改變。我偶爾還會(huì)聽(tīng)到老一輩人說(shuō)，延長(zhǎng)充電電池壽命的方式是將電量完全耗盡，然后再進(jìn)行充電。對(duì)于傳統(tǒng)的鎘鎳 (NiCad) 化學(xué)材料，可能的確如此，但對(duì)于今天的鋰電池而言，這可能是絕對(duì)錯(cuò)誤的，實(shí)際上還會(huì)對(duì)電池壽命產(chǎn)生不利影響。 對(duì)于降壓 DC-DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，同樣也存在一些錯(cuò)誤觀念，特別是那些設(shè)計(jì)在較高輸入電壓（數(shù)十伏特）下工作并提供較大電流（高達(dá) 10 A 左右）的穩(wěn)壓器。固有觀念是低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 采用線性非開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，幾乎沒(méi)有噪聲，但效率非常低。相反，開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器（轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)）相對(duì)噪聲較大，但效率非常高。 用戶對(duì)轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)的擔(dān)憂不僅限于臆斷存在的噪聲。雖然它們的效率很高（在“甜區(qū)”負(fù)載下工作時(shí)，效率高于 85%），但通常存在三個(gè)缺點(diǎn)： 1：它們會(huì)產(chǎn)生電噪聲，這種噪聲主要（但非全部）在其開(kāi)關(guān)頻率下和諧波中出現(xiàn)。 2：它們的瞬態(tài)響應(yīng)較差，易于出現(xiàn)不穩(wěn)定和振蕩，除非針對(duì)應(yīng)用對(duì)其閉環(huán)響應(yīng)進(jìn)行仔細(xì)調(diào)節(jié)。 3：高功率開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器需要外部 MOSFET，并用作開(kāi)關(guān)器件控制器，而不是帶有內(nèi)部 MOSFET 的穩(wěn)壓器，因而需要更多的元器件和板空間。 但是，隨著最近的技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的問(wèn)世，這種情況已經(jīng)改變，LT8645S、LT8646S 和 LT8645S-2 就證明了這一點(diǎn)。這三款相似的 65 V 單片 Silent Switcher 同步降壓穩(wěn)壓器來(lái)自于 Analog Devices，每款穩(wěn)壓器都能夠支持 8 A 輸出（圖 1）。 
圖 1：Silent Switcher 降壓穩(wěn)壓器的方框圖展示了它們的復(fù)雜度，但無(wú)法顯示用于實(shí)現(xiàn)重大性能改進(jìn)的技術(shù)細(xì)節(jié)。（圖片來(lái)源：Analog Devices） 上述三款器件之間存在一些細(xì)微但明顯的差異，讓用戶能夠選擇最符合他們應(yīng)用需求的特定配置（圖 2）。
圖 2：這三款開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器非常相似，但存在一些細(xì)微的配置差異，這些差異可能對(duì)于特定應(yīng)用至關(guān)重要。（圖片來(lái)源：Analog Devices） 我們首先談一下噪聲，因?yàn)閷?duì)于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器而言，用戶通常最擔(dān)心的就是噪聲問(wèn)題。毋庸置疑，優(yōu)質(zhì)的低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 確立了低噪聲輸出的標(biāo)準(zhǔn)，但上述幾款先進(jìn)的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器已經(jīng)非常接近它們的噪聲水平。 為什么要擔(dān)心噪聲呢？ 穩(wěn)壓器輸出噪聲對(duì)系統(tǒng)性能的不利影響表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： · 可能影響負(fù)載 IC 的性能一致性和可靠性，尤其是在較低電軌電壓供電、電源裕量非常小的情況下。 · 影響最終能夠達(dá)到的性能水平，因?yàn)樗鼤?huì)降低模擬信號(hào)精度，例如在傳感器前端。 · 輸出軌噪聲可能是輻射和傳導(dǎo)電磁干擾 (EMI) 的來(lái)源。輻射噪聲尤其令人擔(dān)憂，因?yàn)樗赡軐?dǎo)致最終產(chǎn)品無(wú)法滿足眾多應(yīng)用特定要求中的一項(xiàng)或多項(xiàng)，例如廣泛使用的 CISPR 25 輻射 EMI 測(cè)試。 無(wú)需擔(dān)憂 就設(shè)計(jì)而言，Analog Devices 的 Silent Switcher 架構(gòu)可以確保實(shí)現(xiàn)低噪聲，從而獲得優(yōu)良的 EMI 性能。另外，作為單片器件，其性能不易受到印刷電路板（PC 板）布局的影響，因而可以消除元器件和布局引起的 EMI，這是設(shè)計(jì)時(shí)所要考慮的問(wèn)題。 Silent Switcher 穩(wěn)壓器是如何做到這一點(diǎn)的？設(shè)計(jì)人員研究了時(shí)鐘和其他噪聲源的每一種表現(xiàn)方式，然后設(shè)計(jì)了各種方法加以克服。噪聲的兩個(gè)主要來(lái)源是開(kāi)關(guān)架構(gòu)固有的所謂“熱回路”，以及走線電感和瞬時(shí)振蕩。 為了抑制熱回路，Silent Switcher 設(shè)計(jì)將熱回路分為兩個(gè)均衡回路，使得它們的電流可以有效地相互抵消。為了解決走線電感問(wèn)題，在芯片上集成旁路電容器，避免與印刷電路板走線電感和瞬時(shí)振蕩有關(guān)的問(wèn)題，同時(shí)通過(guò)消除外部元器件及其貼裝的可變性確保性能。這種做法讓輻射放射性能能夠輕松達(dá)到 CISPR 25 標(biāo)準(zhǔn)限值（圖 3）。
圖 3：由于消除熱回路問(wèn)題及增加集成旁路電容器等改進(jìn)措施，Silent Switcher 穩(wěn)壓器的輻射遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于法定最大值。（圖片來(lái)源：Analog Devices） 值得注意的是，這些器件的傳導(dǎo)噪聲也非常低，但這方面的法規(guī)限制不太嚴(yán)格。此外，使用鐵氧體磁珠更容易降低傳導(dǎo)噪聲，而輻射噪聲更難衰減，甚至可能需要昂貴和復(fù)雜的屏蔽措施。 這些開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)還能夠改進(jìn)瞬態(tài)響應(yīng)。它們提供清晰、精密的調(diào)節(jié)（盡管負(fù)載變化），并可在各種不同工作條件下保持回路穩(wěn)定性（圖 4）。為了增加靈活性，LT8646S 器件還允許外部電阻-電容器 (RC) 補(bǔ)償，讓設(shè)計(jì)人員能夠優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)。
圖 4：Silent Switcher 穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)還可產(chǎn)生快速、精確、一致的瞬態(tài)響應(yīng)，即便在負(fù)載變化的情況下，也能提供穩(wěn)定可靠的直流輸出軌。（圖片來(lái)源：Analog Devices） 最后，集成高功率 MOSFET 還帶來(lái)諸多優(yōu)勢(shì)： · 由于減少了 MOSFET 的印刷電路板走線，噪聲得以降低。 · 提供一致的輸入電源到輸出軌性能，達(dá)到在規(guī)格書(shū)上規(guī)定的性能標(biāo)準(zhǔn)。 · 整體外形尺寸更小；8-A 穩(wěn)壓器采用 6 mm × 4 mm LQFN 封裝，整個(gè)電路僅需少量無(wú)源元器件（圖 5）。
圖 5：基于 LT8645S-2（或該系列的其他元器件）的完整電源穩(wěn)壓器子系統(tǒng)外形緊湊且節(jié)省物料。（圖片來(lái)源：Analog Devices） 最后還有一個(gè)非常重要的問(wèn)題：在使用這些高壓、大電流的 Silent Switcher 穩(wěn)壓器時(shí)，是否要在效率方面做出一定妥協(xié)或犧牲？畢竟，高效率是用戶使用轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)而非線性電源的最主要原因。 答案非常簡(jiǎn)單：這些器件的效率與更高噪聲器件的效率處于同一區(qū)間（圖 6）。在負(fù)載電流為 1 A 至最高 8A 的范圍內(nèi)，器件的效率在約 90% 至 96% 之間，其中 2 A 至 4 A 范圍是“甜區(qū)”。
圖 6：除電流輸出值范圍的最高端和最低端外，8 A Silent Switcher 穩(wěn)壓器的效率保持在 95% 左右。（圖片來(lái)源：Analog Devices） 結(jié)語(yǔ) 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器具有高效率的重要優(yōu)點(diǎn)，但它們也可能會(huì)產(chǎn)生多余的輻射噪聲，對(duì)于電路、系統(tǒng)和法規(guī)要求來(lái)說(shuō)，需要避免這些多余的噪聲。Analog Devices 提供的 Silent Switcher DC-DC 穩(wěn)壓器采用創(chuàng)新的架構(gòu)，克服了傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的諸多缺點(diǎn)，而不影響預(yù)期性能。 |
