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星際金華，明佳達(dá) 供求 CY8C3866AXI-039微控制器，ACPL-K34T-560E柵極驅(qū)動(dòng)器，MCP79412-I/SN實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷，MCP23017T-E/SO串行接口I/O擴(kuò)展器 CY8C3866AXI-039：8位67MHz 64KB 微控制器IC 100-TQFP 描述： CY8C3866AXI-039提供了一種現(xiàn)代的信號(hào)采集、信號(hào)處理和控制方法，具有高精度、高帶寬和高靈活性。模擬能力跨越了從熱電偶（近直流電壓）到超聲波信號(hào)的范圍。 特征： 單周期8051 CPU 直流至67兆赫操作 乘法和除法指令 閃存程序存儲(chǔ)器，最大64KB，100,000次寫入循環(huán)，20年保留，并有多種安全功能 高達(dá)8KB的閃存糾錯(cuò)代碼（ECC）或配置存儲(chǔ) 高達(dá)8KB的SRAM 高達(dá)2KB的電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），100萬(wàn)次循環(huán)，20年保留期 24通道直接內(nèi)存訪問(wèn)（DMA），具有多層AHB[1]總線訪問(wèn)功能 可編程的鏈?zhǔn)矫枋龇蛢?yōu)先級(jí) 支持高帶寬32位傳輸 ACPL-K34T-560E：汽車2.5 A峰值高輸出電流MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 描述： ACPL-K34T-560E具有快速傳播延遲和嚴(yán)格的定時(shí)偏移，是驅(qū)動(dòng)AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用的功率MOSFET的理想設(shè)計(jì)。輸出級(jí)的高工作電壓范圍提供了門控器件所需的驅(qū)動(dòng)電壓。 特征： 符合AEC-Q100 1級(jí)測(cè)試準(zhǔn)則的要求 汽車溫度范圍：-40 °C至125 °C 峰值輸出電流：2.0 A min. 軌至軌輸出電壓 傳播延遲。最大110 ns。 死區(qū)時(shí)間失真。+50 ns/-40 ns 帶磁滯的LED電流輸入驅(qū)動(dòng) 共模抑制（CMR）：VCM=1500 V時(shí)，最小50 kV/μs 低電源電流允許自舉半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。ICC = 3.9 mA max. 帶滯后的功率MOSFET的欠壓鎖定（UVLO）保護(hù) 寬廣的工作VCC范圍。10 V至20 V 應(yīng)用： 混合動(dòng)力列車DC/DC轉(zhuǎn)換器 EV/PHEV充電器 汽車隔離式MOSFET門驅(qū)動(dòng)器 交流和無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng) MCP79412-I/SN：電池轉(zhuǎn)換實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷 描述： MCP79412-I/SN是低功耗的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)，使用數(shù)字定時(shí)補(bǔ)償來(lái)實(shí)現(xiàn)精確的時(shí)鐘/日歷，一個(gè)可編程的輸出控制功能，一個(gè)可自動(dòng)切換到備用電源的電源感應(yīng)電路，以及用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的非易失性存儲(chǔ)器。 特征： 實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷（RTCC），電池支持 時(shí)、分、秒、星期、日、月、年 單一輸出的雙報(bào)警 片上數(shù)字微調(diào)/校準(zhǔn) 范圍：-127至+127 ppm 分辨率1ppm 可編程開漏輸出控制 有4個(gè)可選擇的頻率的CLKOUT 報(bào)警輸出 64字節(jié)的SRAM，電池支持 MCP23017T-E/SO：1.7 MHz 28-SOIC 16位串行接口的I/O擴(kuò)展器 描述： MCP23017T-E/SO是一款1.7 MHz 16位I/O擴(kuò)展器，帶有串行接口，28-SOIC封裝。 特征： 獲得AEC-Q100認(rèn)證 16位遠(yuǎn)程雙向I/O端口 I/O引腳默認(rèn)為輸入 高速I2C接口 高速SPI接口 三個(gè)硬件地址引腳，允許總線上最多有八個(gè)設(shè)備 可配置的中斷輸出引腳 可配置為高電平、低電平或開漏電平 INTA和INTB可配置為獨(dú)立運(yùn)行或一起運(yùn)行 |
