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在一片硅片上制造三片摻雜區域，并形成兩個PN結，就構成了晶體管。中間的P區叫基區，P區很薄且摻雜濃度很低，位于左邊的N區叫作發射區，發射區摻雜濃度很高。位于右邊的N區叫集電區，集電區的面積很大。由它們引出的三個電極分別為基極b，發射極e和集電極c。發射區和基區之間的PN結叫發射結，集電區和基區的PN結叫集電結。 晶體管的結構和符號 二，晶體管是如何對電流進行放大的？ 將晶體管放置在基本放大電路中，晶體管可以起到對電流放大的效果，具體表現在較小的電流可以控制較大的電流。在輸入回路中發射結應該正向偏置，在輸出回路中集電結反向偏置，因而需要外加電源Vbb和Vcc，Vcc應該大于Vbb。這就是晶體管放大的外部條件。 晶體管放大作用的內部原理是啥？ 
從內部載流子的運動情況來看。當晶體管放置在放大電路里面時，內部的載流子會出現有規矩的運動。這種運動組成了輸入電流和放大電流。 發射結處于正向偏置，發射極里面大量自由電子在外電場的作用下通過擴散運動到達基區，形成了發射極電流。 集電結反向偏置，由于基區比較薄且摻雜濃度較低，基區的空穴相對較少，所以有相當一部分發射區擴散到基區的自由電子沒有被復合（自由電子和空穴結合）。基區里面存在大量自由電子。這時候在外加電場的作用下，這些自由電子越過集電結到達集電極，這些自由電子的漂移運動形成了集電極電流（也就是放大后的基極電流）。 發射極擴散到基區的自由電子有少部分和基區的空穴結合（復合運動），在外電場的作用下，這種復合運動的進行，形成了基極電流（被放大的電流）。從外部看晶體管遵循基爾霍夫定律：集電極電流+基極電流=發射極電流。 晶體管就像是一個小閥門控制大閥門的元件，發射結有電流通過時，微弱的基極電流（小閥門）推動大閥門打開，大量的集電極電流形成，集電極電流和基極電流一起從發射極流出。 當基極電流為0的時候，集電極電流也為0（晶體管處于截至狀態）。當基極電流大到一定程度時，集電極電流不能再增大（晶體管處于飽和狀態）。在外加電場的幫助下，完成了對電流的放大作用。 |
