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在一片硅片上制造三片摻雜區(qū)域，并形成兩個PN結(jié)，就構(gòu)成了晶體管。中間的P區(qū)叫基區(qū)，P區(qū)很薄且摻雜濃度很低，位于左邊的N區(qū)叫作發(fā)射區(qū)，發(fā)射區(qū)摻雜濃度很高。位于右邊的N區(qū)叫集電區(qū)，集電區(qū)的面積很大。由它們引出的三個電極分別為基極b，發(fā)射極e和集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié)，集電區(qū)和基區(qū)的PN結(jié)叫集電結(jié)。 晶體管的結(jié)構(gòu)和符號 二，晶體管是如何對電流進(jìn)行放大的？ 將晶體管放置在基本放大電路中，晶體管可以起到對電流放大的效果，具體表現(xiàn)在較小的電流可以控制較大的電流。在輸入回路中發(fā)射結(jié)應(yīng)該正向偏置，在輸出回路中集電結(jié)反向偏置，因而需要外加電源Vbb和Vcc，Vcc應(yīng)該大于Vbb。這就是晶體管放大的外部條件。 晶體管放大作用的內(nèi)部原理是啥？ 
從內(nèi)部載流子的運動情況來看。當(dāng)晶體管放置在放大電路里面時，內(nèi)部的載流子會出現(xiàn)有規(guī)矩的運動。這種運動組成了輸入電流和放大電流。 發(fā)射結(jié)處于正向偏置，發(fā)射極里面大量自由電子在外電場的作用下通過擴(kuò)散運動到達(dá)基區(qū)，形成了發(fā)射極電流。 集電結(jié)反向偏置，由于基區(qū)比較薄且摻雜濃度較低，基區(qū)的空穴相對較少，所以有相當(dāng)一部分發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)的自由電子沒有被復(fù)合（自由電子和空穴結(jié)合）。基區(qū)里面存在大量自由電子。這時候在外加電場的作用下，這些自由電子越過集電結(jié)到達(dá)集電極，這些自由電子的漂移運動形成了集電極電流（也就是放大后的基極電流）。 發(fā)射極擴(kuò)散到基區(qū)的自由電子有少部分和基區(qū)的空穴結(jié)合（復(fù)合運動），在外電場的作用下，這種復(fù)合運動的進(jìn)行，形成了基極電流（被放大的電流）。從外部看晶體管遵循基爾霍夫定律：集電極電流+基極電流=發(fā)射極電流。 晶體管就像是一個小閥門控制大閥門的元件，發(fā)射結(jié)有電流通過時，微弱的基極電流（小閥門）推動大閥門打開，大量的集電極電流形成，集電極電流和基極電流一起從發(fā)射極流出。 當(dāng)基極電流為0的時候，集電極電流也為0（晶體管處于截至狀態(tài)）。當(dāng)基極電流大到一定程度時，集電極電流不能再增大（晶體管處于飽和狀態(tài)）。在外加電場的幫助下，完成了對電流的放大作用。 |
