EMC中文名稱:電磁兼容 英文名稱:Electro Magnetic Compatibility 是指電子產(chǎn)品或電氣設(shè)備在規(guī)定的電磁環(huán)境中,按設(shè)計(jì)要求正常工作的能力。 EMC=EMI+EMS
EMI:電磁干擾(ElectroMagnetic Interference)是指電子產(chǎn)品正常運(yùn)行時(shí),不應(yīng)產(chǎn)生超過(guò)規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)所要求的電磁能量,測(cè)試項(xiàng)及相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)也根據(jù)產(chǎn)品功能、形態(tài)、應(yīng)用場(chǎng)景的不同有所差異。 基本的EMI測(cè)試項(xiàng)如下:1)電源線傳導(dǎo)騷擾(CE)測(cè)試(FCC 450KHz-30MHz,CISPR 22 150KHz-30MHz) 2)信號(hào)傳導(dǎo)騷擾(CE)測(cè)試(FCC 450KHz-30MHz,CISPR 22 150KHz-30MHz) 3)輻射騷擾(RE)測(cè)試(30MHz-1GHz) 4)諧波電流(Harmonic) 測(cè)試(FCC part15:1GHz-18GHz,EN300 328:1GHz-12.75GHz) 5)電壓波動(dòng)和閃爍(Fluctuation and Flicker) 測(cè)試
判定等級(jí):EMI 一般情況下以判定標(biāo)準(zhǔn)分為Class A (工業(yè)級(jí))& Class B (民用消費(fèi)類)兩個(gè)等級(jí); 以輻射3m場(chǎng)測(cè)試為例: Class A在30-230MHz要求不能超過(guò)50dBuV 在230-1000MHz要求不能超過(guò)57dBuV Class B在30-230MHz要求不能超過(guò)40dBuV 在230-1000MHz要求不能超過(guò)47dBuV
EMS:電磁抗擾度(ElectroMagnetic Susceptibility)是指在一定環(huán)境中的電子產(chǎn)品能承受相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定范圍內(nèi)的電磁能量干擾而正常運(yùn)行,測(cè)試項(xiàng)及相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)也根據(jù)產(chǎn)品功能、形態(tài)、應(yīng)用場(chǎng)景的不同有所差異。 基本的EMS測(cè)試項(xiàng)如下:1)靜電放電抗擾度(ESD) 2)電快速瞬變脈沖群抗擾度(EFT) 3)浪涌(SURGE) 4)輻射抗擾度(RS) 5)傳導(dǎo)抗擾度(CS) 6)電壓跌落與中斷(DIP)
判定等級(jí):EMS中按照設(shè)備施加干擾后產(chǎn)品的運(yùn)行轉(zhuǎn)態(tài)分為Class A~D 以靜電測(cè)試為例: Class A: 測(cè)試完成后或測(cè)試中被測(cè)設(shè)備一直處于正常工作; Class B: 測(cè)試完成或測(cè)試中允許被測(cè)設(shè)備出現(xiàn)重啟,不需要人為干預(yù)的情況下,可以恢復(fù)正常工作; Class C: 測(cè)試完成或測(cè)試中允許被測(cè)設(shè)備死機(jī)(或其他無(wú)法正常工作的現(xiàn)象),但是需要人為調(diào)整后可以重啟并正常工作; Class D: 設(shè)備已損壞,無(wú)論怎樣調(diào)整也無(wú)法啟動(dòng)。 嚴(yán)格程度EMI是B > A,EMS是A > B > C > D。
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn):1,國(guó)際電工委員為IEC 2,國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)華組織ISO 3,電氣電子工程師學(xué)會(huì)IEEE, 4,歐盟電信標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)ETSI, 6,國(guó)際通訊聯(lián)盟ITU, 7,國(guó)際電工委員會(huì)IEC有以下分會(huì)進(jìn)行EMC標(biāo)準(zhǔn)研究
各國(guó)產(chǎn)品安全和EMC認(rèn)證組織中國(guó):CCC 中國(guó)臺(tái)灣:CE 歐州:CE 日本:VCCI 韓國(guó):MIC 美國(guó):FCC 加拿大:ICES 澳洲:C-Tick EMC設(shè)計(jì)中注意事項(xiàng):
以AC/DC開關(guān)電源傳導(dǎo)整改為例:1、傳導(dǎo)測(cè)試中150KHZ-1MHz以差模干擾為主,1MHz-5MHz差模和共模共同起作用,5MHz 以上頻點(diǎn)基本上是共模干擾; 2、適當(dāng)加大X電容可以優(yōu)化150KHZ頻點(diǎn)附近總超標(biāo)的問(wèn)題。 3、1MHz以下超標(biāo)可以加大PFC輸入部分的單繞組電感的電感量。 4、200KHz左右主要是漏感產(chǎn)生的尖刺; 5,在共模電感上并聯(lián)一個(gè)幾K到幾十K電阻,對(duì)擬制150KHZ-1MHz頻點(diǎn)有幫助。 6,共模電感的兩邊感量不對(duì)稱,可引起傳導(dǎo)150KHZ-3MHZ超標(biāo)。 7,20MHz左右主要是電路開關(guān)的噪聲。 8、在PCB設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)將變壓器和共模電感隔開一些以免互相干擾。 9、三線輸入的電源設(shè)計(jì)總將L、N進(jìn)線接地的Y電容容量從2.2nF減小到471。 10、對(duì)于有兩級(jí)濾波的可將后級(jí)0.22uFX電容去掉,有時(shí)前后X電容會(huì)引起震蕩。 11、將共模電感前加一對(duì)小的幾百uH差模電感。 12、1-5MHz超標(biāo),對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X 電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量。 13,對(duì)于無(wú)Y電容電源,干擾在1M以前的共模干擾也非常厲害。 14、繞制變壓器時(shí)將所有同名端放在一邊,可降低1.0MHZ-5.0MHZ傳導(dǎo)干擾。 15、對(duì)于小功率電源用兩個(gè)差模電感,減少差模電感匝數(shù)可降低傳導(dǎo)1MHZ以下干擾。 16、加大Y電容,可降低傳導(dǎo)中段1MHZ-5MHZ的共模干擾。 17、在輸入端濾波電容上并聯(lián)小容量高壓貼片電容,可降低傳導(dǎo)中段1MHZ-5MHZ干擾。 18、在變壓器初級(jí)繞組上并繞一個(gè)屏蔽繞組,屏蔽繞組的一端接電源端另外一端通過(guò)一個(gè)電容接到地,對(duì)高頻干擾有降低作用。 19,通常通過(guò)加大Y電容容值將傳導(dǎo)干擾降下來(lái)了,那么也可以改變變壓器繞法來(lái)改良,如在初次級(jí)間加多幾層膠帶。 20、將變壓器電感量適當(dāng)加大,可降低開關(guān)電源在半載時(shí)的傳導(dǎo)干擾。 21、將次級(jí)的輔助繞組用來(lái)屏蔽初級(jí)主繞組,可降低傳導(dǎo)3-15MHZ干擾。 22、在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容,可降低傳導(dǎo)25MHZ-30MHZ干擾。 23、可在MOS管D 端對(duì)地接一個(gè)101的電容,可降低傳導(dǎo)25MHZ-30MHZ干擾。 24、傳導(dǎo)后段25MHZ超標(biāo)可在輸出端加共模電感 。
以AC/DC開關(guān)電源輻射整改為例:1、30MHz-50MHz 普遍是MOS 管高速開通關(guān)斷引起,50MHz-100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,再往上開關(guān)電源輻射量基本很小,一般都可以通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)。 2、RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管,可降低30MHz-50MHz輻射干擾。 3、VCC 供電電壓用1N4007 慢管,可降低30MHz-50MHz輻射干擾。 4、在MOS的D端對(duì)地接一個(gè)小的吸收電容,可降低30MHz-50MHz輻射干擾。 5、在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容,可降低30MHz-50MHz輻射干擾。 6、PCB Layout 時(shí)大電解電容,變壓器,MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。 7、變壓器,輸出二極管,輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。 8、調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù),可以改善50MHz以上的干擾。 9、改變初次級(jí)間跨接Y電容支路的阻抗,如串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁梢愿纳?0MHz以上的干擾。 10、變壓器繞制時(shí)增加屏蔽銅箔可以抑制向空間輻射。
當(dāng)然每個(gè)設(shè)計(jì)由于PCB Layout、選用的物料、負(fù)載的應(yīng)用場(chǎng)景等不同,測(cè)試過(guò)程中遇到的問(wèn)題也不盡相同,對(duì)應(yīng)的解決措施也可能不同,以上僅供參考。
另外,在整改開關(guān)電源EMC時(shí),傳導(dǎo)和輻射要同時(shí)去看,整改傳導(dǎo)的措施有可能會(huì)對(duì)輻射造成影響,反之相同,所以同樣的頻點(diǎn)超標(biāo),解決的辦法并不唯一,需要全程對(duì)整個(gè)系統(tǒng)影響最小的方案。另外提示,整改EMC后最好對(duì)電源的效率、動(dòng)態(tài)相應(yīng)、負(fù)載調(diào)整率等關(guān)鍵指標(biāo)需要負(fù)責(zé),以免整改方案對(duì)這些重要指標(biāo)造成不好的影響。
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