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如“一般測量方法”中所提到的，探頭的連接方法對測量到的波形影響很大。為了確認這一點，下面我們將對常見的探頭連接方法所造成的測量波形差異進行比較。 (a)將探頭直接與DUT引腳連接 (b)剝離絞合線絕緣層，用線芯連接探頭 (c)給長絞線分別插入100Ω的阻尼電阻并連接探頭 (d)給短絞線分別插入100Ω的阻尼電阻并連接探頭 
(a)是將電壓探頭的頭部直接與DUT引腳連接。（b）是將加工成絞合線的約12cm的延長線的一端與DUT引腳焊接在一起，并將另一端與電壓探頭的頭部連接。（c）是在（b）延長線的中間插入100Ω的電阻。（d）是在將（b）的線長縮短為約4cm后的延長線中間插入100Ω的電阻。圖5為實際使用的延長線，圖6為連接探頭后的狀態(tài)。 実際の延長ケーブル。左から、(b)12cmの延長ケーブル、(c)12cmの延長ケーブル+100Ω、(d)4cmの延長ケーブル+100Ω 圖5.實際的延長線 実際に各電圧プローブを取り付けた寫真。上段左：(a)直接接続、上段右：(b)12cmの延長ケーブル、下段左：(c)12cmの延長ケーブル+100Ω、下段右：(d)4cmの延長ケーブル+100Ω 圖6.與各電壓探頭實際連接后的照片 圖7是按照圖6中(a)～(d)的連接方式實施雙脈沖測試時的柵-源電壓波形比較結果。當我們觀測換流側LS的柵-源電壓時，可以看到不同的測量方法其波形有明顯差異。 （a）在導通時，當HS MOSFET的開關工作開始、電流發(fā)生變化時，在穿透由圖8所示的電壓探頭頭部形成的環(huán)路內部的方向上會產(chǎn)生磁通量變化。而且，該磁通量變化還會在探頭頭部的環(huán)路中產(chǎn)生順時針的電動勢，因此可以看到，在觀測到的波形中似乎出現(xiàn)了負浪涌。本來應該像（c）和（d）一樣產(chǎn)生正向浪涌（*3）。 在（b）中，受高速開關影響，延長線的阻抗誘發(fā)振鈴，可以觀測到發(fā)生了較嚴重的浪涌。 図6の(a)～(d)の取り付け方によるダブルパルス試験でのゲート－ソース間電圧波形の比較。左：ターンオン波形、右：ターンオフ波形 圖7.按照圖6中（a）～（d）的連接方法實施雙脈沖測試時的柵-源電壓波形比較 |
