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N溝道器件實現高功率密度，降低導通和開關損耗，提高能效 Vishay推出采用薄型PowerPAK 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay Siliconix n溝道 SiHK045N60EF導通電阻比前代器件降低29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中600 V MOSFET的重要優值系數（FOM）創業界新低。 
Vishay提供豐富的MOSFET技術以支持各級功率轉換，涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種高科技系統。隨著SiHK045N60EF的推出，以及其他第四代600 V EF系列器件的發布，Vishay可滿足電源系統架構前兩級提高能效和功率密度的要求——包括圖騰柱無橋功率因數校正（PFC）以及其后的DC/DC轉換器模塊。典型應用包括邊緣計算和數據存儲、不間斷電源、高強度放電（HID）燈和熒光燈鎮流器照明、太陽能逆變器、焊接設備、感應加熱、電機驅動和電池充電器。 SiHK045N60EF基于Vishay高能效E系列超結技術，10 V條件下典型導通電阻僅為0.045 Ω，比PowerPAK 8 x 8封裝器件低27 %，從而提高了額定功率，支持≥ 3 kW的各種應用，同時器件高度低至2.3 mm，增加了功率密度。此外，MOSFET超低柵極電荷降至70 nC。器件的FOM為3.15 Ω*nC，比同類中最接近的MOSFET競品低2.27 %。這些參數表明導通和開關損耗降低，從而節省能源提高能效。器件滿足服務器電源鈦效率的特殊要求，或通信電源達到98%的峰值效率。 SiHK045N60EF有效輸出電容Co(er) 和Co(tr) 分別僅為171 pf和1069 pF，可改善零電壓開關（ZVS）拓撲結構開關性能，如LLC諧振轉換器。器件的Co(tr) 比同類中最接近的MOSFET競品低8.79 %，而其快速體二極管的Qrr低至0.8 μC，有助于提高橋式拓撲結構的可靠性。此外，MOSFET的PowerPAK 10 x 12封裝具有任何表面貼裝的出色熱性能，最大結-殼熱阻額定值為0.45 C/W。SiHK045N60EF熱阻抗比PowerPAK 8 x 8封裝器件低31%。 日前發布的MOSFET符合 RoHS和Vishay綠色標準，無鹵素，耐受雪崩模式過壓瞬變，并保證極限值 100% 通過 UIS 測試。 SiHK045N60EF現可提供樣品并已量產，如想了解產品供貨周期的相關信息可與Vishay銷售聯系。 |
