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來源：集微網 美國商務部工業和安全局 (BIS) 發布針對中國的先進EDA軟件、超寬禁帶半導體襯底片等新一輪出口管制政策后，業內專家認為美國連番遏制措施難以實質性影響中國半導體產業發展，反而將阻礙美國及其盟友技術創新。 波士頓咨詢公司副總監 Karl Breidenbach 接受行業媒體采訪時表示，美國多邊出口管制將為高度相互依存的氧化鎵和金剛石基半導體產業發展帶來額外負擔，歐洲和日本公司正在開發的MOCVD等特殊工藝創新步伐可能被拖慢。 TechInsights 分析師 Dan Hutcheson 則表示，對運用于GAAFET設計制造的EDA工具限制，主要影響美國公司如 Ansys、Cadence、Synopsys，從過去經驗看，嚴格的出口管制將刺激中國本土設計工具加速發展，與Hutcheson交流的業內專家認為，中國國產EDA工具在28納米及以上節點已具備較強競爭力，Hutcheson判斷中國EDA廠商將在三到四年內達到業界前沿水平。 奧爾布賴特石橋公司中國高級副總裁 Paul Triolo 認為，美國的目標是使中國在半導體制造領域落后西方兩到三代，不過只要中國IC設計企業仍可通過臺積電、三星、英特爾在海外代工平臺制造產品，就仍然能夠參與全球市場競爭。 Triolo還指出，限制先進EDA設計工具的規則仍然有待明確，可否將相關功能從整體軟件包中分離尚無法確定，對半導體制造設備的限制同樣如此，冷戰式的出口管制體系難以適應于高度發達的民用產業全球供應鏈。 |
