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LCMXO3LF-4300C-5BG324C,LCMXO2-2000HC-4FTG256C嵌入式FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列)

發(fā)布時(shí)間:2022-8-23 11:56    發(fā)布者:xingjijinhua
LCMXO3LF-4300C-5BG324C:嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列)

規(guī)格:
LAB/CLB 數(shù):540
邏輯元件/單元數(shù):4320
總 RAM 位數(shù):94208
I/O 數(shù):279
電壓 - 供電:2.375V ~ 3.465V
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
工作溫度:0°C ~ 85°C(TJ)
封裝/外殼:324-LFBGA
供應(yīng)商器件封裝:324-CABGA(15x15)
基本產(chǎn)品編號(hào):LCMXO3

特征:
【解決方案】
面向移動(dòng)應(yīng)用的最小尺寸、最低功率、高數(shù)據(jù)吞吐量的橋接解決方案
用于I/O管理和邏輯應(yīng)用的優(yōu)化尺寸、邏輯密度、I/O數(shù)量、I/O性能器件
高I/O邏輯、最低成本的I/O、高I/O設(shè)備,用于 I/O擴(kuò)展應(yīng)用
【靈活的結(jié)構(gòu)】
邏輯密度范圍從64到9.4k LUT4
高I/O與LUT之比,多達(dá)384個(gè)I/O引腳
【先進(jìn)的封裝】
0.4毫米間距:在非常小的WLCSP(2.5毫米×2.5毫米至3.8毫米×3.8毫米)中具有1千到4千的密度,有28到63個(gè)I/O
0.5毫米間距:640至9.4千LUT密度,采用6毫米×6毫米至10毫米×10毫米的BGA封裝,最多可有281個(gè)I/O
0.8毫米間距:1千至9.4千密度,最多384個(gè)I/O BGA封裝的I/O
【預(yù)先設(shè)計(jì)的源同步I/O】
I/O單元中的DDR寄存器
專(zhuān)用的傳動(dòng)邏輯
用于顯示I/O的7:1齒輪
通用的DDR,DDRx2,DDRx4
【高性能、靈活的I/O緩沖器】
可編程的sysI/O™緩沖器支持廣泛的接口。
LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
LVTTL
LVDS、總線(xiàn)LVDS、MLVDS、LVPECL
MIPI D-PHY仿真
施密特觸發(fā)器輸入,高達(dá) 0.5 V 遲滯
是I/O橋接應(yīng)用的理想選擇
I/O支持熱插拔
片上差分終端
可編程的上拉或下拉模式
【靈活的片上時(shí)鐘】
八個(gè)主時(shí)鐘
用于高速I(mǎi)/O接口的最多兩個(gè)邊緣時(shí)鐘(僅頂部和底部)。
每個(gè)器件最多有兩個(gè)模擬PLL,具有分?jǐn)?shù)n頻率合成功能
廣泛的輸入頻率范圍(7 MHz至 400 MHz)。
【非易失性,多時(shí)間編程】
瞬間啟動(dòng)
在微秒內(nèi)開(kāi)機(jī)
可選擇使用外部SPI存儲(chǔ)器進(jìn)行雙啟動(dòng)
單芯片、安全的解決方案
可通過(guò)JTAG、SPI或I2C進(jìn)行編程
MachXO3L包括多時(shí)間可編程的NVCM
MachXO3LF可重構(gòu)閃存包括用于商業(yè)/工業(yè)器件的100,000次寫(xiě)入/擦除周期和用于汽車(chē)器件的10,000次寫(xiě)入/擦除周期
支持非易失性存儲(chǔ)器的背景編程
【TransFR重新配置】
場(chǎng)內(nèi)邏輯更新,同時(shí)I/O保持系統(tǒng)狀態(tài) 狀態(tài)
【增強(qiáng)的系統(tǒng)級(jí)支持】
片上硬化功能。SPI、I2C、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器
用于商業(yè)/工業(yè)設(shè)備的5.5%精度的片上振蕩器
用于系統(tǒng)跟蹤的獨(dú)特TraceID
單電源,工作范圍擴(kuò)大
IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1邊界掃描
符合IEEE 1532的系統(tǒng)內(nèi)編程
【低成本遷移路徑】
從基于閃存的MachXO3LF遷移到基于NVCM的MachXO3L
引腳兼容和等效定時(shí)

應(yīng)用:
消費(fèi)電子
計(jì)算和存儲(chǔ)
無(wú)線(xiàn)通信
工業(yè)控制系統(tǒng)
汽車(chē)系統(tǒng)

LCMXO2-2000HC-4FTG256C:嵌入式 - FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列)

描述:
LCMXO2-2000HC-4FTG256C的超低功耗、瞬時(shí)啟動(dòng)、非易失性PLD有六個(gè)器件,其密度范圍從 256到6864個(gè)查找表(LUT)。除了基于LUT的低成本可編程邏輯,這些器件還具有以下特點(diǎn) 嵌入式塊狀RAM(EBR)、分布式RAM、用戶(hù)閃存(UFM)、鎖相環(huán)(PLL)、預(yù)先設(shè)計(jì)的源同步I/O支持、高級(jí)配置支持,包括雙啟動(dòng)能力和 常用功能的加固版本,如SPI控制器、I2 C控制器和定時(shí)器/計(jì)數(shù)器。這些功能使這些器件可用于低成本、高容量的消費(fèi)和系統(tǒng)應(yīng)用。

屬性:
LAB/CLB 數(shù):264
邏輯元件/單元數(shù):2112
總 RAM 位數(shù):75776
I/O 數(shù):206
電壓 - 供電:2.375V ~ 3.465V
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
工作溫度:0°C ~ 85°C(TJ)
封裝/外殼:256-LBGA
供應(yīng)商器件封裝:256-FTBGA(17x17)
基本產(chǎn)品編號(hào):LCMXO2-2000

特征:
1,靈活的邏輯架構(gòu):
六個(gè)器件具有256至6864個(gè)LUT4和18至334個(gè)I/O。
2,超低功率器件:
先進(jìn)的65納米低功率工藝
低至22微瓦的待機(jī)功率
可編程的低擺幅差分I/O
待機(jī)模式和其他省電選項(xiàng)
3,嵌入式和分布式存儲(chǔ)器: 嵌入式和分布式存儲(chǔ)器
高達(dá)240kbits的sysMEM™嵌入式塊狀RAM
高達(dá)54kbits的分布式RAM
專(zhuān)用的FIFO控制邏輯
4,片上用戶(hù)Flash存儲(chǔ)器:
高達(dá)256kbits的用戶(hù)閃存
100,000次寫(xiě)入周期
可通過(guò)WISHBONE、SPI、I2C和JTAG接口訪(fǎng)問(wèn)
可作為軟處理器PROM或Flash存儲(chǔ)器使用
5,預(yù)先設(shè)計(jì)的源同步I/O
I/O單元中的DDR寄存器
專(zhuān)用的齒輪邏輯
用于顯示I/O的7:1齒輪化
通用的DDR、DDRX2、DDRX4
專(zhuān)用的DDR/DDR2/LPDDR內(nèi)存,支持DQS
6,高性能、靈活的I/O緩沖器
可編程的sysIO™緩沖器支持廣泛的接口范圍
I/O支持熱插拔
片上差分終端
可編程的上拉或下拉模式
7,靈活的片上時(shí)鐘:
八個(gè)主時(shí)鐘
多達(dá)兩個(gè)邊緣時(shí)鐘,用于高速I(mǎi)/O和接口(僅頂部和底部)。
每個(gè)器件最多有兩個(gè)模擬PLL,具有小數(shù)點(diǎn)頻率合成功能
廣泛的輸入頻率范圍(7 MHz至400 MHz)。
8,非易失性,可無(wú)限重構(gòu)。
瞬間啟動(dòng)--在微秒內(nèi)開(kāi)機(jī)
單芯片、安全的解決方案
可通過(guò)JTAG、SPI或I2C進(jìn)行編程
支持非易失性存儲(chǔ)器的后臺(tái)編程
9,TransFR™重新配置:
在系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)進(jìn)行場(chǎng)內(nèi)邏輯更新
10,增強(qiáng)的系統(tǒng)級(jí)支持:
片上硬化功能。SPI,I2C,定時(shí)器/計(jì)數(shù)器
準(zhǔn)確度為5.5%的片上振蕩器
獨(dú)特的TraceID用于系統(tǒng)跟蹤
一次性可編程(OTP)模式
單電源,工作范圍擴(kuò)大
IEEE標(biāo)準(zhǔn)1149.1邊界掃描
符合IEEE 1532標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)內(nèi)編程
11,廣泛的封裝選擇:
TQFP, WLCSP, ucBGA, csBGA, caBGA, ftBGA, fpBGA, QFN封裝選項(xiàng)
小尺寸封裝選項(xiàng):小至2.5 mm x 2.5 mm
支持密度遷移
先進(jìn)的無(wú)鹵素封裝

星際金華,明佳達(dá) 供求 LCMXO3LF-4300C-5BG324C,LCMXO2-2000HC-4FTG256C嵌入式FPGA(現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列)

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