|
產(chǎn)品概述 IMBF170R1K0M1 1700V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬電距離，針對反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化，適用于眾多電力應(yīng)用場合下接入直流母線電壓600 V至1000 V的輔助電源。 
參數(shù)：IMBF170R1K0M1XTMA1 （IMBF170R1K0M1） FET 類型：N 通道 技術(shù)：SiCFET（碳化硅） 漏源電壓（Vdss）：1700 V 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：5.2A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V，15V 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1000毫歐 @ 1A，15V 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.1mA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：5 nC @ 12 V Vgs（最大值）：+20V，-10V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：275 pF @ 1000 V FET 功能：- 功率耗散（最大值）：68W（Tc） 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝型 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-7-13 封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 基本產(chǎn)品編號：IMBF170 產(chǎn)品特點 革命性的半導(dǎo)體材料——碳化硅 優(yōu)化用于反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 12V/0V柵極-源極電壓，兼容大多數(shù)反激式控制器 非常低的切換損失 基準(zhǔn)柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V 完全可控制的dV/dt，用于EMI優(yōu)化 降低系統(tǒng)復(fù)雜性 直接從反激式控制器驅(qū)動 提高效率和降低冷卻工作量 實現(xiàn)更高頻率 應(yīng)用領(lǐng)域 儲能系統(tǒng) 電動汽車快速充電 電源 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動和控制 太陽能系統(tǒng)解決方案 （供求）工業(yè)輔助電源IMBF170R1K0M1(IMBF170R1K0M1XTMA1) 深圳市明佳達(dá)電子有限公司/深圳市星際金華實業(yè)有限公司 注：本文部分內(nèi)容與圖片來源于網(wǎng)絡(luò)，版權(quán)歸原作者所有。如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除！ |
