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納芯微單通道隔離式柵極驅動器兩款新品NSi66x1A和NSi6601M雙雙發布，均適用于驅動SiC，IGBT和MOSFET等功率管，兼具車規（滿足AEC-Q100標準）和工規兩種等級，廣泛適用于新能源汽車、空調、電源、光伏等應用場景。 NSi66x1A--帶保護功能的智能隔離單管驅動（NSI6611A/NSI6651A） 
產品特性 超強驅動能力，可以提供最大10A的拉灌電流能力，支持軌到軌輸出和分離輸出 完善的保護功能：DESAT短路保護、故障軟關斷、彌勒鉗位、欠壓保護；短路故障或欠壓發生時，還能通過單獨的引腳報告進行反饋 輸入與輸出端均采用雙電容增強隔離技術，外加納芯微Adaptive OOK編碼技術，最小共模瞬變抗擾度（CMTI）高達150kV/μs，提高了系統的魯棒性 驅動器側電源電壓VCC2最大為32V，輸入側VCC1為3V至5.5V電源電壓供電；VCC1和VCC2都具有欠壓保護（UVLO） 極低的傳輸延時，低至80ns NSi6611支持ASC特色的功能，可在緊急情況下強制輸出為高 工作環境溫度：-40℃ ~ 125℃ 符合 RoHS 標準的封裝類型：SOW16
功能框圖 NSi66x1A 超強驅動能力，有效節約外圍電路 在大功率的應用中，用戶一般會選擇如IGBT和SiC這樣的大功率管子，因而功率管的Qg也會更大，對產品驅動電流能力的要求變得更高了。 NSi66x1A能夠提供最大10A的拉罐電流能力，比起傳統方案，不需要額外的Buffer 電路，即可直接驅動大功率的管子。節省了Buffer電路的費用和PCB的體積，同時還不需要額外的電路做匹配，增加了系統的穩定性。此外，NSi66x1A內部集成彌勒鉗位，支持分離輸出，使用簡單，外圍器件更少，凸顯性價比。
使用NSi66x1A方案應用電路圖
大功率應用中傳統方案驅動電路圖 NSi6611A 支持ASC功能 什么是ASC? ASC即主動短路（Active short circuit，簡稱ASC），是電機系統的一種安全保護機制，是將電機的UVW三相短路（通過å對功率管的開關，實現上三橋臂短路或下三橋臂短路）。 NSi6611A支持ASC功能，可以在電機處于轉速過高，或者突然發生制動等其他異常時，通過三相短路的方式，讓電機內耗電流，降低電機產生的反電動勢，使其不超過高壓電池提供的母線電壓，確保動力電池、母線電容及其它高壓器件不被損壞，從而保護電機和電氣系統。 NSi6611A pin1 引腳便是ASC 功能。如下ASC時序圖可以看到，即使在input是低電平，或者VCC1欠壓情況下，當pin1引腳電平是高電平時，ASC功能就會使能，OUT會強制輸出為高，打開功率管。當然，如果用戶不需要ASC 功能，則可以將NSi6611A pin1 引腳懸空，或者下拉到GND2。
NSi6611A ASC 時序圖 案例詳解 為了實現系統的ASC功能，UVW三相下橋臂的管子驅動IC可以使用三顆NSi6611A，將其pin1 連接到一起，連接點命名為"ASC Trigger"，默認該點電壓是低電平。當系統檢測到故障時，如母線電壓過高時，外部觸發信號使"ASC Trigger"為高電平，這時三顆NSi6611會強制打開 UVW三相下橋臂的管子，實現電機下三橋臂短路，實現ASC功能。NSi6611A被外部觸發"ASC Trigger"為高電平到芯片OUT 強制輸出為高，時間為0.66us (tASC_r), 響應迅速，及時保護系統。 NSi6601M--帶彌勒鉗位功能的高可靠性隔離單管驅動
產品特性 具有很強的驅動能力，可提供5A/5A的拉灌電流峰值電流 集成彌勒鉗位功能，鉗位電流高達5A，有效抑制因為彌勒效應致使管子誤開通，確保了系統的可靠性 超高的共模抗擾能力：150 kV/us 驅動器側電源電壓VCC2最大為32V，輸入側VCC1為3.1V至17V電源電壓供電；VCC1和VCC2都具有欠壓保護（UVLO） 符合 RoHS 標準的封裝類型：SOP8，SOW8 工作環境溫度：-40℃ ~ 125℃ 符合 RoHS 標準的封裝類型：SOW16
功能框圖 NSi6601M：有效解決高壓高頻系統中高dv/dt 隨著第三代半導體SiC MOSFET的興起，更高壓、更高頻、更小體積、更大功率的系統正成為新的發展趨勢。然而在高壓高頻的應用中系統在運行過程中卻總是容易因為dv/dt過高，導致功率管子被燒壞。NSi6601M則能很好解決這一問題。 案例詳解 使用下圖的電路作為例子說明。系統在開關的過程中，SW產生的dv/dt 通過彌勒電容Cgd，會導致gate產生電壓，如果這個電壓高于管子的開通電壓，會導致管子誤開通，會造成上下管短路，燒毀管子。 NSi66001MC集成彌勒鉗位功能，NSi6601M可以檢測到gate電壓的變化，當gate產生的電壓高壓2V時，NSi6601M內部彌勒鉗位功能將被開啟，將dv/dt 通過Cgd產生的電流以最小阻抗路徑釋放到VEE，在gate電壓鉗位到足夠低的電壓，防止下管Q2誤開通。
簡化應用電路圖 NSi6601M隔離耐壓高，寬體SOW8封裝Vpk 高達2121V，同時CMTI抗干擾能力超過150kv/us，非常適合高頻、高壓、高可靠性的應用場景，符合電源行業發展的趨勢。 免費送樣 NSi66x1A/NSi6601M系列產品均可提供樣品，如需申請樣片或訂購可郵件至sales@novosns.com或撥打0512-62601802，更多信息敬請訪問www.novosns.com。 |
