Vishay推出PowerPAK 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET，優異的RDS(ON) 導通電阻低至0.65 mΩ

發布時間：2022-2-7 17:05 發布者：eechina

小型器件采用無引線鍵合鷗翼引線結構，提高板級可靠性

Vishay推出兩款n溝道TrenchFET MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。為實現設計目標，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導通電阻，工作溫度可達+175 C以及高連續漏極電流。節省空間的PowerPAK 8x8L封裝采用無引線鍵合鷗翼引線結構消除機械應力，有助于提高板級可靠性。

SiJH600E和SiJH800E超低導通電阻—10 V下典型值分別為0.65 m和1.22 m—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54 %和52 %，從而減小了傳導功耗，實現節能的效果。

為提高功率密度，SiJH600E和SiJH800E連續漏極電流分別為373 A和288 A，封裝占位面積比D2PAK封裝減小60 %，高度降低57 %。為節省電路板空間，每款MOSFET還可以用來取代兩個并聯的PowerPAK SO-8器件。

器件規格表：

產品型號	VDS (V)	ID (A)	RDS(ON) @ 10 V (mW)	Rthjc (°C/W)
SiJH600E	60	373	0.65	0.36
SiJH800E	80	299	1.22	0.36

該Vishay Siliconix器件工作溫度可達+175 C，性能穩定可靠，適用于電源、電機驅動控制、電池管理和電動工具等應用同步整流。器件采用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素、符合RoHS標準，經過100 % Rg和UIS測試。

封裝	長 (mm)	寬 (mm)	高 (mm)	尺寸 (長x寬mm2)
PowerPAK 8x8L	8	7.9	1.8	63.2
D2PAK (TO-263)	15.2	10	4.4	152

SiJH600E和SiJH800E現可提供樣品。產品供貨周期和數量的相關信息，請與Vishay或我們的經銷商聯系。

本文地址：http://m.qingdxww.cn/thread-783203-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。