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隨著蘋果公司正式推出140W氮化鎵（GaN）快充，以智能手機、筆記本電腦為代表的消費電子快充市場迎來了又一標桿性產品的重要拐點。近兩年來，全球GaN充電器的出貨量已經突破了數千萬只。然而，這僅僅只是開端。 Yole Développement的最新調研報告顯示，預計2026年全球GaN功率器件的市場規模達到11億美元；在2020-2026年期間，該市場的年復合增長率將達到70%，其中消費類市場是主要驅動力。為了適應GaN功率器件的大規模量產需求，除了襯底外延等相關制造設備之外，針對功率器件關鍵工序的沉積鍍膜設備也迎來了更龐大的市場需求以及量產化的全新挑戰。 
Yole Développement針對GaN功率器件的市場預測 把握氮化鎵市場拐點，SRII量產型ALD設備拓展中國第三代半導體龍頭客戶 對于GaN功率器件的制造商而言，擴充產能是當前的重中之重。對此，思銳智能推出了業界領先的量產型ALD沉積設備——Beneq Transform系列，憑借成熟、穩定的多片沉積工藝，能夠為高端應用的行業客戶提供卓越的沉積鍍膜生產效率，以及傳統工藝無法企及的鍍膜均勻性、納米級膜厚精準控制等優勢，進而助力產能擴充的需求。 事實上，思銳智能近期成功交付了一套最新的Beneq Transform Lite設備，幫助中國市場的第三代半導體龍頭客戶加速其GaN產線的擴充。“客戶的產線正處于中試到相當規模量產的切入點，”思銳智能團隊說，“我們擁有非常豐富的沉積工藝經驗，在與客戶進行技術對接之后，TransformLite設備的技術先進性與量產化優勢迅速獲得了客戶的認可，這很激動人心！接下來，我們將幫助客戶完成沉積工藝延伸產線的搭建以及相關的量產調試。“
Beneq Transform Lite設備進場照片 以ALD工藝打破應用邊界，Transform獨創技術加速超摩爾應用產能提升 盡管ALD鍍膜工藝對于GaN功率器件的性能提升有著顯著的增益，但其實ALD技術在GaN射頻器件、光器件以及MEMS等超摩爾應用領域中同樣能夠“大展拳腳”。ALD本身屬于通用型技術，其低溫沉積特性、保形性以及均勻性十分優異，相較傳統的鍍膜工藝如CVD、PVD等具備獨特的優勢。 思銳智能旗下Beneq品牌推出的Transform系列設備，在掌握ALD技術的基礎優勢之外，運用靈活的工程思維，率先加入了預加熱技術。由于增加了預加熱模塊，ALD設備的常規升溫時間顯著縮短。并且熱法工藝與等離子工藝可在同一個腔體中實現，反應腔可容納的晶圓數量也提升至25片。這樣整體計算下來，產能的增長超過了50%。這對于量產階段的客戶具有非常大的優勢。自此，業界對于ALD沉積速率偏慢的刻板印象已經被打破！
通過加入預加熱模塊，可有效減少升溫時間 目前，Transform系列設備最高可支持8”晶圓的沉積鍍膜需求，并向下兼容3”、4”以及6”等不同晶圓尺寸的產品。預計明年，思銳智能將會進一步豐富產品線，不斷拓展應用領域，為客戶提供創新、靈活、多樣化的一站式ALD解決方案。 |
