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— CISSOID高溫芯片和模塊技術(shù)亦將大力推動(dòng)電動(dòng)汽車動(dòng)力總成的深度整合 — CISSOID 日前宣布推出了一種基于輕質(zhì)AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM），以滿足航空和其他特殊工業(yè)應(yīng)用中針對(duì)自然空氣對(duì)流或背板冷卻的需求。此項(xiàng)高溫芯片和模塊技術(shù)平臺(tái)亦將大力推動(dòng)電動(dòng)汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)（電機(jī)、電控及變速箱)的深度整合,以使其體積、重量及相應(yīng)成本大幅降低，并實(shí)現(xiàn)最佳能源效率。 
CISSOID的IPM技術(shù)平臺(tái)可迅速適應(yīng)新的電壓、功率和冷卻要求，極大地加速了基于SiC的功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)，從而實(shí)現(xiàn)了高效率和高功率密度。嵌入式柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器解決了與快速開關(guān)SiC晶體管有關(guān)的多個(gè)挑戰(zhàn)：例如用負(fù)驅(qū)動(dòng)和有源米勒鉗位（AMC）來防止寄生導(dǎo)通；去飽和檢測(cè)（DeSAT）和軟關(guān)斷（SSD）可以快速且安全地應(yīng)對(duì)短路事件。柵極驅(qū)動(dòng)器上的欠壓鎖定（UVLO）和DC總線電壓監(jiān)視系統(tǒng)以確保正常運(yùn)行，等等。 新的風(fēng)冷模塊 (CMT-PLA3SB340AA和CMT-PLA3SB340CA) 系專為無法使用液體冷卻的應(yīng)用而設(shè)計(jì)，例如航空機(jī)電執(zhí)行器和功率轉(zhuǎn)換器等等。該模塊的額定阻斷電壓為1200V，最大連續(xù)電流為340A；導(dǎo)通電阻僅有3.25mΩ，而開關(guān)損耗僅為分別為8.42mJ和7.05mJ（在600V 300A 條件下）。該功率模塊的額定結(jié)溫為175°C，而柵極驅(qū)動(dòng)器的額定環(huán)境溫度為125°C，通過AlSiC扁平底板冷卻，熱阻較低、耐熱性強(qiáng)。 CISSOID 首席技術(shù)官 Pierre Delatte 指出，“CISSOID 實(shí)現(xiàn)了功率模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器的整體融合設(shè)計(jì)，且可通過仔細(xì)調(diào)整dv/dt去實(shí)現(xiàn)控制，通過快速切換所固有的電壓過沖來優(yōu)化IPM，從而將開關(guān)能量損耗降至最低。該模塊的安全運(yùn)行區(qū)域（RBSOA）允許直流總線電壓高達(dá)880V、峰值電流高達(dá)600A，從而使得800V電池電壓系統(tǒng)的應(yīng)用是絕對(duì)安全的。” “CISSOID提供的高溫芯片和模塊技術(shù)，已在石油鉆探等領(lǐng)域內(nèi)的長(zhǎng)期應(yīng)用中得到了充分的驗(yàn)證，可以滿足業(yè)內(nèi)最苛刻的應(yīng)用需求。此次推出的新型SiC智能功率模塊瞄準(zhǔn)了航空和其他特殊工業(yè)應(yīng)用，特別針對(duì)其中緊湊輕便的功率轉(zhuǎn)換器所要求的自然對(duì)流或背板冷卻而設(shè)計(jì)。之前，我們已推出采用針翅基板（Pin Fin Baseplate）的新型液冷IPM功率模塊（CXT－PLA3SA450AA），此次我們還推出了具有更高電流能力的針翅基板，以及液冷IPM功率模塊（CXT－PLA3SA550CA），以針對(duì)電動(dòng)汽車市場(chǎng)的初期需求。我們相信CISSOID 獨(dú)特的耐高溫技術(shù)平臺(tái)將大力推動(dòng)電動(dòng)汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)的深度整合。 ”CISSOID首席執(zhí)行官Dave Hutton表示。 “此外，CISSOID IPM 智能功率模塊除采用了國(guó)際上最流行的SiC MOSFET芯片外，我們也與中國(guó)國(guó)內(nèi)的SiC芯片廠商開展深入合作，也相繼推出了基于中國(guó)國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET的IPM模塊（CXT－PLA3SA550CA 和 CMT－PLA3SB340CA）；這些中國(guó)國(guó)產(chǎn)版的SiC IPM模塊一方面適應(yīng)了中國(guó)國(guó)內(nèi)的市場(chǎng)需求，另一方面亦促進(jìn)了與國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的共同發(fā)展�！盚utton先生補(bǔ)充道。 Yole Development的市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告表明，自硅功率半導(dǎo)體器件誕生以來，應(yīng)用需求一直推動(dòng)著結(jié)溫的升高，目前已達(dá)到150℃。第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件（如SiC）已走過了從出現(xiàn)發(fā)展到已日趨成熟并全面商業(yè)化普及的路徑，其獨(dú)特的耐高溫性能正在推動(dòng)結(jié)溫加速?gòu)哪壳暗?50℃邁向175℃，未來將進(jìn)軍200℃。借助于SiC的獨(dú)特高溫特性和低開關(guān)損耗優(yōu)勢(shì)，這一結(jié)溫不斷提升的趨勢(shì)將大大改變電力系統(tǒng)的設(shè)計(jì)格局。這些目前典型的、未來還將出現(xiàn)的高溫、高功率密度應(yīng)用，包括深度整合的電動(dòng)汽車動(dòng)力總成、多電和全電飛機(jī)乃至電動(dòng)飛機(jī)、移動(dòng)儲(chǔ)能充電站和充電寶，以及其他各種液體冷卻受到嚴(yán)重限制的電力應(yīng)用。 更多信息，請(qǐng)?jiān)L問：https://www.cissoid.com/sic-power-modules/ |
